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    Modeling of the threshold voltage in strained Si /Si1-xGex/Si1-yGey(x≥ y) CMOS architectures
    TSANG, Y. L ; CHATTOPADHYAY, Sanatan ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 11, S. 3040-3048
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Process-variation-and random-dopants-induced threshold voltage fluctuations in nanoscale CMOS and SOI devices
    YIMING, LI ; YU, Shao-Ming ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2117-2120
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    A minimum total power methodology for projecting limits on CMOS GSI : Special section on low-power electronics and design
    BHAVNAGARWALA, A. J ; AUSTIN, B. L ; et al.
    In: IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, Jg. 8 (2000), Heft 3, S. 235-251
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Quantum Threshold Voltage Modeling of Short Channel Quad Gate Silicon Nanowire Transistor
    RAKESH KUMAR, P ; MAHAPATRA, Santanu
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 10 (2011), Heft 1, S. 121-128
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Enhancement of adjustable threshold voltage range by substrate bias due to quantum confinement in ultrathin body SOI pMOSFETs
    TSUTSUI, Gen ; NAGUMO, Tashiharu ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 2 (2003), Heft 4, S. 314-318
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A new model of subthreshold swing for sub-100 nm MOSFETs
    YANG, Lin-An ; YU, Chun-Li ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 48 (2008), Heft 3, S. 342-347
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A model of fringing fields in short-channel planar and triple-gate SOI MOSFETs
    ERNST, Thomas ; RITZENTHALER, Romain ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 6, S. 1366-1375
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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