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    Thermal Burnout Effect of a GaAs PHEMT LNA Caused by Repetitive Microwave Pulses.
    Yi, Shipeng ; Du, Zhengwei
    In: IEEE Transactions on Plasma Science, Jg. 47 (2019-10-01), Heft 10, S. 4620-4627
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Analysis and Design of Broadband LC-Ladder FET LNAs Using Noise Match Network.
    Hsiao, Yu-Chih ; Meng, Chinchun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 66 (2018-02-01), Heft 2, S. 987-1001
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A novel monolithic HEMT LNA integrating HBT-tunable active-feedback linearization by selective MBE.
    Kobayashi, K.W. ; Streit, D.C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 44 (1996-12-02), Heft 12, S. 2384-2391
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A novel monolithic HEMT LNA integrating HBT-tunable active-feedback linearization by selective MBE.
    Kobayashi, Kevin W. ; Streit, Dwight C.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 44 (1996-12-01), Heft 12, S. 2384-2391
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Reliability of 50 nm low-noise metamorphic HEMTs and LNAs.
    Dammann, M. ; Leuther, A. ; et al.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 41 (2005-06-09), Heft 12, S. 699-701
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    GaN-Based Robust Low-Noise Amplifiers.
    Colangeli, Sergio ; Bentini, Andrea ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-10-01), Heft 10, S. 3238-3248
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Optical sensitivity of HEMT-based devices and low-noise amplifiers.
    Caddemi, Alina ; Cardillo, Emanuele ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 108 (2021-03-01), Heft 3, S. 361-377
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    4–12- and 25–34-GHz Cryogenic mHEMT MMIC Low-Noise Amplifiers.
    Aja Abelan, Beatriz ; Seelmann-Eggebert, Matthias ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 60 (2012-12-15), Heft 12, S. 4080-4088
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A Wideband E / W -Band Low-Noise Amplifier MMIC in a 70-nm Gate-Length GaN HEMT Technology.
    Thome, Fabian ; Bruckner, Peter ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 70 (2022-02-01), Heft 2, S. 1367-1376
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Nonlinear and Permanent Degradation of GaAs-Based Low-Noise Amplifier Under Electromagnetic Pulse Injection.
    Yu, Xinhai ; Ma, Zhenyang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Jg. 62 (2020-02-01), Heft 1, S. 101-107
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Stability Investigation of Large Gate-Width Metamorphic High Electron-Mobility Transistors at Cryogenic Temperature.
    Moschetti, Giuseppe ; Thome, Fabian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 64 (2016-10-01), Heft 10, S. 3139-3150
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    0.3–14 and 16–28 GHz Wide-Bandwidth Cryogenic MMIC Low-Noise Amplifiers.
    Cha, Eunjung ; Wadefalk, Niklas ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 66 (2018-11-01), Heft 11, S. 4860-4869
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Very Compact High-Gain Broadband Low-Noise Amplifier in InP HEMT Technology.
    Masuda, Satoshi ; Ohki, Toshihiro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 54 (2006-12-02), S. 4565-4571
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    GaN HEMT Noise Model Based on Electromagnetic Simulations.
    Nalli, Andrea ; Raffo, Antonio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 63 (2015-08-01), Heft 8, S. 2498-2508
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Design and Analysis of Ultra Wideband GaN Dual-Gate HEMT Low-Noise Amplifiers.
    Shih, Shih-En ; Deal, William R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 57 (2009-12-02), Heft 12, S. 3270-3277
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    InAs/A1Sb HEMT and Its Application to Ultra-Low-Power Wideband High-Gain Low-Noise Amplifiers.
    Ma, Bob Yintat ; Bergman, Joshua ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 54 (2006-12-02), S. 4448-4455
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Analysis and design of a Q/V-band low-noise amplifier in GaAs-based 0.1 μm pHEMT technology.
    Pantoli, Leonardo ; Barigelli, Alessandro ; et al.
    In: IET Microwaves, Antennas & Propagation (Wiley-Blackwell), Jg. 10 (2016-11-01), Heft 14, S. 1500-1506
    Online academicJournal
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    RF Chipset for Impulse UWB Radar Using 0.13-μm InP-HEMT Technology.
    Kawano, Yoichi ; Nakasha, Yasuhiro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 54 (2006-12-02), S. 4489-4497
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Noise figure measurement of three-port differential low-noise amplifiers.
    Prinsloo, D.S. ; Meyer, P.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 48 (2012-05-10), Heft 10, S. 578-580
    academicJournal
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    Wideband balanced AlGaN/GaN HEMT MMIC low noise amplifier.
    Seo, S. ; Pavlidis, D. ; et al.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 41 (2005-08-04), Heft 16, S. 909-911
    academicJournal
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