Suchergebnisse
UB Katalog
Artikel & mehr
Suchmaske
Suchergebnisse einschränken oder erweitern
Aktive Suchfilter
Weniger Treffer
Gefunden in
Art der Quelle
Schlagwort
- 2-d electron gas (2-deg) 4 Treffer
- algan/gan hemt 4 Treffer
- analytical modeling 4 Treffer
- channel length modulation (clm) 4 Treffer
- channel-length modulation (clm) 4 Treffer
-
19 weitere Werte:
- computer simulation 4 Treffer
- drain-induced barrier lowering (dibl) 4 Treffer
- ecole polytechnique federale de lausanne 4 Treffer
- electron gas 4 Treffer
- gallium arsenide transistors 4 Treffer
- gallium nitride 4 Treffer
- heterostructures 4 Treffer
- marketing channels 4 Treffer
- metal oxide semiconductor field-effect transistors 4 Treffer
- mobility 4 Treffer
- numerical simulation 4 Treffer
- parameter extraction 4 Treffer
- saturation velocity 4 Treffer
- self-heating 4 Treffer
- short-channel effects (sces) 4 Treffer
- velocity 4 Treffer
- velocity saturation 4 Treffer
- virtual gate 4 Treffer
- gallium nitride (gan) high-electron-mobility transistor (hemt) 2 Treffer
Sprache
2 Treffer
-
In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-03-01), Heft 3, S. 847-854Online academicJournalZugriff:
-
In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 3088-3094Online academicJournalZugriff: