Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
33 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Publikation

Sprache

33 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Investigation of the Effect of Different SiN x Thicknesses on the Characteristics of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors in Ka-Band.
    Hsu, Che-Wei ; Lin, Yueh-Chin ; et al.
    In: Electronics (2079-9292), Jg. 12 (2023-10-15), Heft 20, S. 4336-4345
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Design of W-Band GaN-on-Silicon Power Amplifier Using Low Impedance Lines.
    Jeong, Jinho ; Jang, Yeongmin ; et al.
    In: Applied Sciences (2076-3417), Jg. 11 (2021-10-01), Heft 19, S. 9017-9025
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Nonlinear Capacitance Compensation Method for Integrating a Metal–Semiconductor–Metal Varactor with a Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor Power Amplifier.
    Li, Ke ; Gu, Yitian ; et al.
    In: Electronics (2079-9292), Jg. 13 (2024-04-01), Heft 7, S. 1265-1276
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A Ku-Band Broadband Stacked FET Power Amplifier Using 0.15 μm GaAs pHEMT.
    Li, Jiaxuan ; Yuan, Yang ; et al.
    In: Micromachines, Jg. 14 (2023-06-01), Heft 6, S. 1276-1285
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    X-band MMICs for a Low-Cost Radar Transmit/Receive Module in 250 nm GaN HEMT Technology.
    Lee, Hyeonseok ; Park, Hyeong-Geun ; et al.
    In: Sensors (14248220), Jg. 23 (2023-05-15), Heft 10, S. 4840-4857
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Design of 2–16 GHz Non-Uniform Distributed GaN HEMT MMIC Power Amplifier with Harmonic Suppression Network.
    Luan, Tongyao ; Leng, Yongqing ; et al.
    In: Applied Sciences (2076-3417), Jg. 12 (2022-11-01), Heft 21, S. 11077-11089
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A 7–13 GHz 10 W High-Efficiency MMIC Power Amplifier in 0.25 µm GaN HEMT Process.
    Hu, Aizhen ; Leng, Yongqing ; et al.
    In: Applied Sciences (2076-3417), Jg. 12 (2022-11-01), Heft 21, S. 10872-10882
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A 110–170 GHz Wideband LNA Design Using the InP Technology for Terahertz Communication Applications.
    Hu, Lian ; Yang, Ziqiang ; et al.
    In: Micromachines, Jg. 14 (2023-10-01), Heft 10, S. 1921-1931
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Highly Efficient GaN Doherty Power Amplifier for N78 Sub-6 GHz Band 5G Applications.
    Eid, Mohammed A. Elsayed ; Abouelnaga, Tamer G. ; et al.
    In: Electronics (2079-9292), Jg. 12 (2023-10-01), Heft 19, S. 4001-4022
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Power Compression and Phase Analysis of GaN HEMT for Microwave Receiver Protection.
    Song, Wenhan ; Guo, Haowen ; et al.
    In: Electronics (2079-9292), Jg. 11 (2022-07-01), Heft 13, S. N.PAG- (10S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 2.4 GHz 20 W 8-Channel RF Source Module with Improved Channel Output Balance.
    Nam, Hyosung ; Kim, Taewan ; et al.
    In: Applied Sciences (2076-3417), Jg. 11 (2021-08-15), Heft 16, S. 7491-7501
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Improvement of AlGaN/GaN HEMTs Linearity Using Etched-Fin Gate Structure for Ka Band Applications.
    Lee, Ming-Wen ; Lin, Yueh-Chin ; et al.
    In: Micromachines, Jg. 14 (2023-05-01), Heft 5, S. 931-944
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    C-Band 30 W High PAE Power Amplifier MMIC with Second Harmonic Suppression for Radar Network Application.
    Yang, Fan ; Song, Leijun ; et al.
    In: Micromachines, Jg. 13 (2022-12-01), Heft 12, S. 2079-2090
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A Wideband High-Efficiency GaN MMIC Power Amplifier for Sub-6-GHz Applications.
    Hu, Liulin ; Liao, Xuejie ; et al.
    In: Micromachines, Jg. 13 (2022-05-01), Heft 5, S. 793-802
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Analysis and Design of a Wideband Low-Noise Amplifier with Bias and Parasitic Parameters Derived Wide Bandpass Matching Networks.
    Zhao, Jinxiang ; Wang, Feng ; et al.
    In: Electronics (2079-9292), Jg. 11 (2022-02-15), Heft 4, S. 633-633
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Design of a Broadband MMIC Driver Amplifier with Enhanced Feedback and Temperature Compensation Technique.
    Zhang, Shengli ; Wan, Jing ; et al.
    In: Electronics (2079-9292), Jg. 11 (2022-02-01), Heft 3, S. 498-498
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A Broadband Gain Amplifier Designed with the Models for Package and Diode Using 0.5 μm GaAs E-pHEMT Process.
    Kim, Min-Su ; Jhon, Heesauk
    In: Electronics (2079-9292), Jg. 10 (2021-11-01), Heft 21, S. 2678-2678
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Frequency Selective Degeneration for 6–18 GHz GaAs pHEMT Broadband Power Amplifier Integrated Circuit.
    Oh, Sungjae ; Yoo, Eunjoo ; et al.
    In: Electronics (2079-9292), Jg. 9 (2020-10-01), Heft 10, S. 1588-1588
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Doherty Power Amplifier for LTE-Advanced Systems.
    Abdulkhaleq, Ahmed M. ; Yahya, Maan A. ; et al.
    In: Technologies (2227-7080), Jg. 7 (2019-09-01), Heft 3, S. 60-60
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A Novel GaN:C Millimeter-Wave HEMT with AlGaN Electron-Blocking Layer.
    Weng, You-Chen ; Lin, Yueh-Chin ; et al.
    In: Materials (1996-1944), Jg. 15 (2022-02-01), Heft 3, S. 703-703
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -