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    Symmetric self-electro-optic effect device array growtn by metalorganic vapor phase epitaxy using GaAs/Al0.04Ga0.96As shallow quantum wells
    LEE, S. W ; KIM, T. M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 11, S. 1176-1178
    Online academicJournal
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    Hydrogen plasma removal of AlGaAs oxides before molecular beam epitaxy
    CHOQUETTE, K. D ; HONG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 7, S. 735-737
    Online academicJournal
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    Thermal stability of GaAs (C)/InAs superlattices grown by metalorganic molecular beam epitaxy
    ABERNATHY, C. R ; WISK, P. W ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 11, S. 1339-1341
    Online academicJournal
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    Periodic index separate confinement heterostructure InGaAs/AIGaAs quantum well lasers grown by temperature modulation molecular beam epitaxy
    HONG, M ; CHEN, Y. K ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 1, S. 43-45
    Online academicJournal
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    Molecular beam epitaxial regrowth on in situ plasma-etched AlAs/AlGaAs heterostructures
    CHOQUETTE, K. D ; HONG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 14, S. 1738-1740
    Online academicJournal
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    Monolithic integration of GaAs and In0.2Ga0.8As lasers by molecular beam epitaxy on GaAs
    BERGER, P. R ; DUTTA, N. K ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 58 (1991), Heft 23, S. 2698-2700
    Online academicJournal
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    Interface disorder in AlAs/(A)GaAs bragg reflectors
    ASOM, M. T ; GEVA, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 8, S. 976-978
    Online academicJournal
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    Elimination of dark line defects in GaAs-on-Si by post-growth patterning and thermal annealing
    NARESH, CHAND ; CHU, S. N. G
    In: Applied physics letters, Jg. 58 (1991), Heft 1, S. 74-76
    Online academicJournal
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    Origin and improvement of interface roughness in AlGaAs/GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy
    NARESH, CHAND ; CHU, S. N. G
    In: Applied physics letters, Jg. 57 (1990), Heft 17, S. 1796-1798
    Online academicJournal
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    Molecular beam epitaxial growth and characterization of 2-in.-diam Hg1-xCdxTe films on GaAs (100) substrates
    LANGE, M. D ; SIVANANTHAN, S ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 52 (1988), Heft 12, S. 978-980
    Online academicJournal
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    Thermal stability of InGaAs/InP quantum well structures grown by gas source molecular beam epitaxy
    TEMKIN, H ; CHU, S. N. G ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 50 (1987), Heft 15, S. 956-958
    Online academicJournal
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    Hg1-xMnx Te-CdTe superlattices grown by molecular beam epitaxy
    CHU, X ; SIVANANTHAN, S ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 50 (1987), Heft 10, S. 597-599
    Online academicJournal
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    Ga0.47In0.53As/InP superlattices grown by chemical beam epitaxy: absorption, photoluminescence excitation, and photocurrent spectroscopies
    TSANG, W. T ; SCHUBERT, E. F ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 50 (1987), Heft 9, S. 540-542
    Online academicJournal
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    Molecular beam epitaxial growth of a novel strained-layer superlattice system: CdTe-ZnTe
    MONFROY, G ; SIVANANTHAN, S ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 49 (1986), Heft 3, S. 152-154
    Online academicJournal
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    Molecular beam epitaxial growth of a novel strained layer type III superlattice system: HgTe-ZnTe
    FAURIE, J. P ; SIVANANTHAN, S ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 48 (1986), Heft 12, S. 785-787
    Online academicJournal
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    High-resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy studies of InGaAs/InP superlattices grown by gas-source molecular beam epitaxy
    VANDENBERG, J. M ; CHU, S. N. G ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 49 (1986), Heft 19, S. 1302-1304
    Online academicJournal
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    Growth of Hg1-xZnxTe by molecular beam epitaxy on a GaAs(100) substrate
    SIVANANTHAN, S ; CHU, X ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 47 (1985), Heft 12, S. 1291-1293
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    GaSb0.5As0.5/Al0.35Ga0.65Sb0.48As0.52 superlattice lattice matched to InP prepared by molecular beam epitaxy
    TSANG, W. T ; CHIU, T. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 46 (1985), Heft 7, S. 659-661
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    Stimulated emission from a Hg1-xCdxTe epilayer grown by molecular beam epitaxy
    MAHAVADI, K. K ; BLEUSE, J ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 55 (1989), Heft 13, S. 1285-1286
    Online academicJournal
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