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    Growth of high-quality In-rich InGaN alloys by RF-MBE for the fabrication of InN-based quantum well structures
    NAOI, Hiroyuki ; KUROUCHI, Masahito ; et al.
    In: Proceedings of the Second ONR International Indium Nitride Workshop, 9-13 January 2005, Kailua-Kona, Hawaii, Jg. 288 (2006), Heft 2, S. 283-288
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effects of low temperature ZnO and MgO buffer thicknesses on properties of ZnO films grown on (0001) Al2O3 substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    JAE GOO, KIM ; SEOK KYU, HAN ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 519 (2010), Heft 1, S. 223-227
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improvement of crystal quality of thick InGaAsN layers grown on InP substrates by adding antimony
    MIURA, K ; NAGAI, Y ; et al.
    In: 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-XIV), 3-8 September 2006, Tokyo, Japan, Jg. 301-302 (2007), S. 575-578
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth of InN nanocolumns by RF-MBE
    NISHIKAWA, S ; NAKAO, Y ; et al.
    In: 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-XIV), 3-8 September 2006, Tokyo, Japan, Jg. 301-302 (2007), S. 490-495
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of growth mode in ZnO thin films prepared at different temperature by plasma-molecular beam epitaxy
    LIANG, H. W ; LU, Y. M ; et al.
    In: MBE XIII, 2004: 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Edinburgh, UK, 22-27 August 2004, Jg. 278 (2005), Heft 1-4, S. 305-310
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effect of ain buffer layer on the growth of InN epitaxial film on Si substrate
    YAMAGUCHI, T ; SAITO, Y ; et al.
    In: 5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5), Nara, Japan, 25-30 May 2003, Jg. 240 (2003), Heft 2, S. 429-432
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    VI/II ratio-dependent growth and photoluminescence of cubic CdSe epilayers by molecular beam epitaxy
    JIE, ZHAO ; YIPING, ZENG ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 329 (2011), Heft 1, S. 1-5
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Growth temperature induced effects in non-polar a-plane GaN on r-plane sapphire substrate by RF-MBE
    RAJPALKE, Mohana K ; BHAT, Thirumaleshwara N ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 314 (2011), Heft 1, S. 5-8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Molecular beam epitaxy growth of Be-chalcogenides and fabrication of ZnSe/ZnMgBeSe laser structures
    CHO, M. W ; CHANG, J. H ; et al.
    In: Molecular beam epitaxy 1998, Jg. 201202 (1999), S. 957-960
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Growth of epitaxial ZnO films on Si (1 1 1) substrates with Cr compound buffer layer by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    KIM, Jung-Hyun ; SEOK KYU, HAN ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 312 (2010), Heft 15, S. 2190-2195
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effects of substrate offset angles on MBE growth of ZnO
    SAKURAI, K ; KANEHIRO, M ; et al.
    In: Proceedings of the 9th international conference on II-VI compounds, Kyoto, Japan, 1-5 November 1999, Jg. 214-15 (2000), S. 92-94
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Surface characterization of NdF3 layers on Si(1 1 1) substrates grown by molecular beam epitaxy
    KO, J. M ; INABA, K ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 212 (2000), Heft 1-2, S. 155-160
    academicJournal
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    Molecular beam epitaxy of Ca1-xRxF2+x (R = Nd, Er) layers : study of RHEED pattern and lattice mismatch
    KO, J. M ; FUKUDA, T
    In: Journal of crystal growth, Jg. 200 (1999), Heft 3-4, S. 490-497
    academicJournal
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    Heteroepitaxial growth of metastable ErF3 on CaF2(1 1 1) by molecular beam epitaxy : a novel material for optical upconversion
    INABA, K ; ADACHI, K ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 179 (1997), Heft 3-4, S. 488-494
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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