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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Low threshold current, low resistance 1.3 μm InAs-InGaAs quantum-dot VCSELs with fully doped DBRs grown by MBE
    Hong Pin D. Yang ; Su, Yan-Kuin ; et al.
    In: SPIE Proceedings, 2007-02-08
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Long-wavelength VCSEL devices on GaAs substrates
    Yu, Hsin-Chieh ; Yang, Hung-Pin D. ; et al.
    In: SPIE Proceedings, 2005-01-31
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    MBE-grown 1.3 micron InGaAsN/GaAs double QW VCSELs with very low-threshold current density under room temperature CW operation
    Hsiao, R. S. ; Chen, Jenn-Fang ; et al.
    In: SPIE Proceedings, 2004-09-01
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Characteristics of InGa(N)As VCSELs for fiber optic applications
    Chin May Wang ; Kovsh, A. R. ; et al.
    In: SPIE Proceedings, 2004-06-16
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    High power lasers based on submonolayer InAs-GaAs quantum dots and InGaAs quantum wells
    Chi, Jim Y. ; Kryzhanovskaya, N. V. ; et al.
    In: SPIE Proceedings, 2002-06-05
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -