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    Compact Modeling of Single-Event Latchup of Integrated CMOS Circuit.
    Al Youssef, A. ; Artola, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1510-1515
    Online academicJournal
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    X-ray Performance Evaluation of the Dexela CMOS APS X-ray Detector Using Monochromatic Synchrotron Radiation in the Mammographic Energy Range.
    Konstantinidis, Anastasios C. ; Szafraniec, Magdalena B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-08-22), Heft 5, S. 3969-3980
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Modeling Charge Loss in CMOS MAPS Exposed to Non-Ionizing Radiation.
    Ratti, Lodovico ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-10), Heft 4, S. 2574-2582
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Modeling Charge Loss in CMOS MAPS Exposed to Non-Ionizing Radiation.
    Ratti, Lodovico ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-01), Heft 4, S. 2574-2582
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Heavy Ion Characterization and Monte Carlo Simulation on 32 nm CMOS Bulk Technology.
    Uznanski, Slawosz ; Gasiot, Gilles ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2652-2657
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Experimental Characterization and Simulation of Electron-Induced SEU in 45-nm CMOS Technology.
    Samaras, A. ; Pourrouquet, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3055-3060
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Analysis of Charge Deposition and Collection Caused by Low Energy Neutrons in a 25-nm Bulk CMOS Technology.
    Abe, Shin-ichiro ; Watanabe, Yukinobu
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3519-3526
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Detection of Thermal Neutrons With a CMOS Pixel Sensor for a Future Dosemeter.
    Vanstalle, Marie ; Husson, Daniel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 1443-1447
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Contribution of Control Logic Upsets and Multi-Node Charge Collection to Flip-Flop SEU Cross-Section in 40-nm CMOS.
    Narasimham, Balaji ; Wang, Jung K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3176-3182
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Effects of Random Dopant Fluctuations (RDF) on the Single Event Vulnerability of 90 and 65 nm CMOS Technologies.
    Balasubramanian, A. ; Fleming, P. R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 6, S. 2400-2406
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Radiation Effects on CMOS Image Sensors With Sub-2 \mum Pinned Photodiodes.
    Place, S. ; Carrere, J. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 909-917
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Single-Event Upsets and Distributions in Radiation-Hardened CMOS Flip-Flop Logic Chains.
    Dodd, Paul E. ; Shaneyfelt, Marty R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2695-2701
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Alpha-Particle Induced Soft-Error Rate in CMOS 130 nm SRAM.
    Martinie, S. ; Autran, J. L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-02), Heft 3, S. 1086-1092
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Development of a new electronic personal neutron dosemeter using a CMOS active pixel sensor.
    Trocmé, M. ; Higueret, S. ; et al.
    In: Radiation Protection Dosimetry, Jg. 126 (2007-08-01), Heft 1-4, S. 536-540
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Single Event Upset and Multiple Cell Upset Modeling in Commercial Bulk 65-nm CMOS SRAMs and Flip-Flops.
    Uznanski, Slawosz ; Gasiot, Gilles ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), Heft 4, S. 1876-1883
    Online academicJournal
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    Real-Time Characterization of Neutron-Induced SEUs in Fusion Experiments at WEST Tokamak During D-D Plasma Operation.
    Autran, J. L. ; Moindjie, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 501-511
    Online academicJournal
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    Impact of Process Variations and Charge Sharing on the Single-Event-Upset Response of Flip-Flops.
    Kauppila, A. V. ; Bhuva, B. L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2658-2663
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    Investigations on the Geometry Effects and Bias Configuration on the TID Response of nMOS SOI Tri-Gate Nanowire Field-Effect Transistors.
    Riffaud, J. ; Gaillardin, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 39-45
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    Fluence measurement of fast neutron fields with a highly efficient recoil proton telescope using active pixel sensors.
    Taforeau, J. ; Higueret, S. ; et al.
    In: Radiation Protection Dosimetry, Jg. 161 (2014-10-01), Heft 1-4, S. 41-45
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Impact of Process Variations on SRAM Single Event Upsets.
    Kauppila, A. V. ; Bhuva, Bharat L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-02), Heft 3, S. 834-839
    Online academicJournal
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