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    High-Dimensional Many-Objective Bayesian Optimization for LDE-Aware Analog IC Sizing
    Liao, T. ; Zhang, L.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 30 (2022), Heft 1, S. 15-28
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    An LDE-Aware gm/ID-Based Hybrid Sizing Method for Analog Integrated Circuits
    Liao, T. ; Zhang, L.
    In: IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, Jg. 40 (2021-08-01), Heft 8, S. 1511-1524
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Cascode configuration as a substitute to LDE MOSFET for improved electrical mismatch performance
    Rahhal, Lama ; Bertrand, Guillaume ; et al.
    In: 2014 International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), 2014-03-01, S. 238-242
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A 0.4-V 8400-μm2 Voltage Reference in 65-nm CMOS Exploiting Well-Proximity Effect
    Che, C. ; Lei, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 70 (2023-10-01), Heft 10, S. 3822-3826
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Capturing Layout Dependent Effects in MOSFET Circuit Sizing Using Precomputed Lookup Tables
    Mohamed, K. ; Yasseen, K.Y. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 11 (2023), S. 41205-41217
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    TID Response and Radiation-Enhanced Hot-Carrier Degradation in 65-nm nMOSFETs: Concerns on the Layout-Dependent Effects
    Ren, Z. ; An, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 1565-1570
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Three-Port Model of a Modern MOS Transistor in Millimeter Wave Band, Considering Distributed Effects
    Yavand Hasani, J.
    In: IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, Jg. 35 (2016-09-01), Heft 9, S. 1509-1509
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Layout-Dependent Effects-Aware Analytical Analog Placement
    Ou, H. ; Tseng, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, Jg. 35 (2016-08-01), Heft 8, S. 1243-1243
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Mitigating Layout Dependent Effect-induced Timing Risk in Multi-Row-Height Detailed Placement
    Wang, Li-Chen ; Fang, Shao-Yun
    In: 2023 Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE), 2023-04-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A Step-by-Step Layout Transformation Approach to Differentiate How Multiple Layout Dependent Effects Modify Device and Circuit Performance
    Lu, Luke ; Xia, Kejun ; et al.
    In: 2024 IEEE 36th International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), 2024-04-15, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    General Formula to Capture the Impact of Dummy Gates on Layout Dependent Effects Modeling of Multi-finger MOSFETs
    Xia, Kejun ; Zhang, Qilin ; et al.
    In: 2020 4th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2020-04-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    mm-Wave CMOS Device Optimization Design for Super-400 GHz fMAX with Impact of Technology Scaling and Layout Dependent Effects
    Guo, Jyh-Chyurn ; Wijaya, Adhi Cahyo ; et al.
    In: 2023 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), 2023-12-05, S. 246-249
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Layout-dependent effects aware gm/iD-based many-objective sizing optimization for analog integrated circuits
    Liao, Tuotian ; Zhang, Lihong
    In: 2018 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2018-05-27, S. 1-5
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Analysis and modeling of a MOS transistor with long gate finger for millimeter wave band applications
    Hasani, Javad Yavand
    In: 2016 24th Iranian Conference on Electrical Engineering (ICEE), 2016-05-01, S. 45-50
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Novel Analog Designs with Back-Gate Bias by Using Global Foundries 22FDX® Technology
    Blackwell, Don ; Hui, Xuemei ; et al.
    In: 2022 IEEE 5th International Conference on Electronics Technology (ICET), 2022-05-13, S. 15-19
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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