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    MOSFETの統計的選択によるレファレンス不要なCMOS温度センサの設計
    彰吾, 原田 ; マーフズル, イスラム ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 119 (2019-11-01), Heft 282, S. 51-56
    academicJournal
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    MOSFETの統計的選択によるレファレンス不要なCMOS温度センサの設計
    彰吾, 原田 ; マーフズル, イスラム ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 119 (2019-11-01), Heft 282, S. 51-56
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    招待講演 低消費電力LSI応用へ向けた高移動度Ⅲ-Ⅴ/Ge CMOS技術の最近の進展と課題
    寿史, 入沢 ; 圭司, 池田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 115 (2015-08-01), Heft 190, S. 31-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    招待講演 低消費電力LSI応用へ向けた高移動度Ⅲ-Ⅴ/Ge CMOS技術の最近の進展と課題
    寿史, 入沢 ; 圭司, 池田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 115 (2015-08-01), Heft 191, S. 31-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    招待講演 低消費電力LSI応用へ向けた高移動度Ⅲ-Ⅴ/Ge CMOS技術の最近の進展と課題
    寿史, 入沢 ; 圭司, 池田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 115 (2015-08-01), Heft 190, S. 31-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    招待講演 低消費電力LSI応用へ向けた高移動度Ⅲ-Ⅴ/Ge CMOS技術の最近の進展と課題
    寿史, 入沢 ; 圭司, 池田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 115 (2015-08-01), Heft 191, S. 31-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    先端CMOSデバイス・プロセス技術の現状と展望
    圭司, 池田 ; 寿史, 入沢 ; et al.
    In: 電子情報通信学会誌 = The journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Jg. 98 (2015-04-01), Heft 4, S. 300-306
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    先端CMOSデバイス・プロセス技術の現状と展望
    圭司, 池田 ; 寿史, 入沢 ; et al.
    In: 電子情報通信学会誌 = The journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Jg. 98 (2015-04-01), Heft 4, S. 300-306
    academicJournal
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    非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価
    孝, 濱畑 ; 俊昭, 秋濃(小池) ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-07-01), Heft 110, S. 103-108
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価
    孝, 濱畑 ; 俊昭, 秋濃(小池) ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-07-01), Heft 111, S. 103-108
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価
    孝, 濱畑 ; 俊昭, 秋濃(小池) ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-07-01), Heft 112, S. 103-108
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価
    孝, 濱畑 ; 俊昭, 秋濃(小池) ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-07-01), Heft 110, S. 103-108
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価
    孝, 濱畑 ; 俊昭, 秋濃(小池) ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-07-01), Heft 111, S. 103-108
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価
    孝, 濱畑 ; 俊昭, 秋濃(小池) ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-07-01), Heft 112, S. 103-108
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Ge CMOSに適したチャネル界面パッシベーション
    忠賢, 李 ; 知紀, 西村 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 110 (2011-01-31), Heft 406, S. 9-12
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ge CMOSに適したチャネル界面パッシベーション
    忠賢, 李 ; 知紀, 西村 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 110 (2011-01-31), Heft 406, S. 9-12
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High current drivability FD-SOI CMOS with low Source/Drain series resistance
    Nakao, Yukihisa ; Kuroda, Rihito ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 110 (2010), Heft 110, S. 303-308
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    High current drivability FD-SOI CMOS with low Source/Drain series resistance
    Nakao, Yukihisa ; Kuroda, Rihito ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 110 (2010), Heft 109, S. 303-308
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    High current drivability FD-SOI CMOS with low Source/Drain series resistance
    Nakao, Yukihisa ; Kuroda, Rihito ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 110 (2010), Heft 110, S. 303-308
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    High current drivability FD-SOI CMOS with low Source/Drain series resistance
    Nakao, Yukihisa ; Kuroda, Rihito ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 110 (2010), Heft 109, S. 303-308
    academicJournal
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