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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    A Self-aligned Gate-last Process applied to All-III-V CMOS on Si
    Jonsson, Adam ; Svensson, Johannes ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018), Heft 7, S. 935-938
    Online unknown
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Demonstration of CMOS Integration With High-Voltage Double-Implanted MOS in 4H-SiC
    Huang, Chih-Fang ; Hung, Jia-Ching ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021), S. 78-81
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Post-CMOS FinFET Integration of Bismuth Telluride and Antimony Telluride Thin-Film-Based Thermoelectric Devices on SoI Substrate
    ETHEM ERKAN, AKTAKKA ; GHAFOURI, Niloufar ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 10, S. 1334-1336
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Benchmarking of III-V n-MOSFET Maturity and Feasibility for Future CMOS
    DOORNBOS, Gerben ; PASSLACK, Matthias
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 10, S. 1110-1112
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Three-dimensional wafer stacking via Cu-Cu bonding integrated with 65-nm strained-Si/low-k CMOS technology
    MORROW, P. R ; PARK, C.-M ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 5, S. 335-337
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    150-GHz RF SOI-CMOS Technology in Ultrathin Regime on Organic Substrate
    DES ETANGS-LEVALLOIS, Aurélien Lecavelier ; DUBOIS, Emmanuel ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 11, S. 1510-1512
    Online academicJournal
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    Enhanced CMOS performances using substrate strained-SiGe and mechanical strained-Si technology
    SAN LEIN, WU ; YU MIN, LIN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 1, S. 46-48
    Online academicJournal
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    Stacked 3-D Fin-CMOS technology
    XUSHENG, WU ; CHAN, Philip C. H ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 6, S. 416-418
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Tensile-strained germanium CMOS integration on silicon
    ZANG, H ; LOH, W. Y ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 12, S. 1117-1119
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Novel approach to reduce source/drain series and contact resistance in high-performance UTSOI CMOS devices using selective electrodeless CoWP or CoB process
    PAN, James ; TOPOL, Anna ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 8, S. 691-693
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Simultaneous Imaging and Energy Harvesting in CMOS Image Sensor Pixels
    Yoon, Euisik ; Park, Sung-Yun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-04-01), S. 532-535
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Impact of Series Resistance on Bulk CMOS Current Matching Over the 5–300K Temperature Range
    Nguyen Cong Dao ; Leong, Philip H. W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-07-01), S. 847-850
    Online unknown
    Zugriff:
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    ESD Robust Fully Salicided 5-V Integrated Power MOSFET in Submicron CMOS
    Prabhu, Manjunatha ; Lee, Jian-Hsing ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-05-01), S. 623-625
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A Self-Aligned Gate-Last Process Applied to All-III–V CMOS on Si
    Svensson, Johannes ; Jönsson, Adam ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, 2018
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    An Experimental Demonstration of GaN CMOS Technology
    Chen, Mary ; Li, Ray ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-03-01), S. 269-271
    Online unknown
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    academicJournal
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    CMOS On-Chip Stable True-Random ID Generation Using Antenna Effect
    Tang, Fang ; Mohamad, Saqib ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014), S. 54-56
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Compact Layout of DT-MOS Transistor With Source-Follower Subcircuit in 90-nm CMOS Technology
    Hsu, Heng-Ming ; Lee, Tai-Hsing
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-04-01), S. 392-395
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    CMOS Inverter Based on Gate-All-Around Silicon-Nanowire MOSFETs Fabricated Using Top-Down Approach
    Balasubramanian, N. ; Buddharaju, K.D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-11-01), S. 1021-1024
    Online unknown
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