Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
66 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Schlagwort

Sprache

66 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    ESD Robust Fully Salicided 5-V Integrated Power MOSFET in Submicron CMOS
    Prabhu, Manjunatha ; Lee, Jian-Hsing ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-05-01), S. 623-625
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    CMOS On-Chip Stable True-Random ID Generation Using Antenna Effect
    Tang, Fang ; Mohamad, Saqib ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014), S. 54-56
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Compact Layout of DT-MOS Transistor With Source-Follower Subcircuit in 90-nm CMOS Technology
    Hsu, Heng-Ming ; Lee, Tai-Hsing
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-04-01), S. 392-395
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    SiNW-CMOS Hybrid Common-Source Amplifier as a Voltage-Readout Hydrogen Ion Sensor
    Kim, Dal-Hyun ; Chung, In-Young ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013), S. 135-137
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Vertical Silicon Nanowire Gate-All-Around Field Effect Transistor Based Nanoscale CMOS
    Anand, Bulusu ; Maheshwaram, S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-08-01), S. 1011-1013
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A 20-V CMOS-Based Monolithic Bidirectional Power Switch
    Chen, Y. ; Shen, Z.J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-02-01), S. 174-176
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A CMOS, fully integrated sensor for electronic detection of DNA hybridization
    Alessandrini, Andrea ; Facci, Paolo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-07-01), S. 595-597
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Enhanced CMOS performances using substrate strained-SiGe and mechanical strained-Si technology
    Yu Min Lin ; San Lein Wu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006), S. 46-48
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Tri-Gate Bulk MOSFET Design for CMOS Scaling to the End of the Roadmap
    Shin, Changhwan ; Sun, Xin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-05-01), S. 491-493
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Stacked 3-D Fin-CMOS technology
    Philip C.H. Chan ; Feng, Chuguang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-06-01), S. 416-418
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    The spacer/replacer concept: a viable route for sub-100 nm ultrathin-film fully-depleted SOI CMOS
    K. De Meyer ; H. van Meer
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 23 (2002), S. 46-48
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Simple Test Structure for Directly Extracting Substrate Network Components in Deep n-Well RF-CMOS Modeling
    Liu, Jun ; Wang, Huang ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-11-01), S. 1200-1202
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Design of CMOS Transistors to Maximize Circuit FOM Using a Coupled Process and Mixed-Mode Simulation Methodology
    Chakravarthi, S. ; Venugopal, Ramesh ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-10-01), S. 863-865
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Three-transistor one-time programmable (OTP) ROM cell array using standard CMOS gate oxide antifuse
    Lee, Kwyro ; Kim, Jin-Bong
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-09-01), S. 589-591
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High performance fully-depleted tri-gate CMOS transistors
    Jack Portland Kavalieros ; Doyle, Brian S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-04-01), S. 263-265
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Optimization of implant anneals to improve transistor performance in a 0.15 μm CMOS technology
    Olsen, C. ; Lutze, J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 21 (2000-09-01), S. 451-453
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    1.5-V single work-function W/WN/n/sup +/-poly gate CMOS device design with 110-nm buried-channel PMOS for 90-nm vertical-cell DRAM
    Yan, W. ; Radens, Carl J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 23 (2002-10-01), S. 621-623
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A simulation study to evaluate the feasibility of midgap workfunction metal gates in 25 nm bulk CMOS
    Maitra, Kingsuk ; Misra, Veena
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-11-01), S. 707-709
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Dual work function metal gate CMOS transistors by Ni-Ti interdiffusion
    Hu, Chenming ; Polishchuk, I. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 23 (2002-04-01), S. 200-202
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A simple method to determine the floating-body voltage of SOI CMOS devices
    Imam, Mohamed A. ; Osman, Ashraf A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 21 (2000), S. 21-23
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -