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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-09-01), Heft 9, S. 4015-4018Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-07-01), Heft 7, S. 2250-2256Online academicJournalZugriff:
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Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-12-01), Heft 12, S. 5525-5529Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-09-01), S. 4015-4018Online unknownZugriff:
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Analysis of DIBL Effect and Negative Resistance Performance for NCFET Based on a Compact SPICE ModelIn: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-12-01), S. 5525-5529Online unknownZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-10-01), S. 2135-2143Online unknownZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-05-01), S. 887-896Online unknownZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 47 (2000), S. 113-120Online unknownZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 45 (1998), S. 2489-2498Online unknownZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 43 (1996), S. 1291-1296Online unknownZugriff: