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    Optimization of SiGe selective epitaxy for source/drain engineering in 22 nm node complementary metal-oxide semiconductor (CMOS)
    Yan, Jiang ; Radamson, Henry H. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-09-28), S. 123511-123511
    Online unknown
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    Integrate-and-fire neuron circuit using positive feedback field effect transistor for low power operation
    Hwang, Sungmin ; Park, Kyungchul ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 124 (2018-10-21), S. 152107-152107
    Online unknown
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    Theoretical study of potential performance of armchair graphene nanoribbon field effect transistors: Dependence on channel dimensions and contact resistance
    Kim, Deok-kee ; Hur, Ji-Hyun
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 122 (2017-12-21), S. 234304-234304
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    Hole mobility enhancements and alloy scattering-limited mobility in tensile strained Si/SiGe surface channel metal–oxide–semiconductor field-effect transistors
    Antoniadis, Dimitri A. ; Lee, Minjoo L. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-10-01), S. 3745-3751
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    Role of point defects and HfO2/TiN interface stoichiometry on effective work function modulation in ultra-scaled complementary metal–oxide–semiconductor devices
    Murali, Kota V. R. M. ; Kwon, Unoh ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-07-21), S. 034505-34505
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    Lateral profiling of impurity surface concentration in submicron metal–oxide–silicon transistors
    Sah, Chih-Tang ; Wang, Yih
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 90 (2001-10-01), S. 3539-3550
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    Study of direct tunneling through ultrathin gate oxide of field effect transistors using Monte Carlo simulation
    Cassan, Eric ; Hesto, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 86 (1999-10-01), S. 3804-3811
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    Design of a 270ps-access 7-transistor/2-magnetic-tunnel-junction cell circuit for a high-speed-search nonvolatile ternary content-addressable memory
    Ohno, Hideo ; Endoh, Tetsuo ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-04-01), S. 07E336
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    Gate length and temperature dependence of negative differential transconductance in silicon quantum well metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
    Lee, Mark ; Naquin, Clint ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 118 (2015-09-28), S. 124505-124505
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    Methods of high current magnetic field generator for transcranial magnetic stimulation application
    Weber, Robert J. ; Narimdinda Robert Bouda ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-05-07), S. 17B319
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    Scalability of spin field programmable gate array: A reconfigurable architecture based on spin metal-oxide-semiconductor field effect transistor
    Saito, Yoshiaki ; Ikegami, Kazutaka ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 109 (2011-04-01), S. 07C312
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    High frequency and noise model of gate-all-around metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
    Iniguez, Benjamin ; Antonio Manuel Lazaro ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 105 (2009-04-01), S. 074505-74505
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    Indium arsenide quantum wire trigate metal oxide semiconductor field effect transistor
    Gilbert, Matthew J. ; Ferry, David K.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006-03-01), S. 054503-54503
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    Symmetrical threshold voltage in complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with HfAlOx(N) achieved by adjusting Hf∕Al compositional ratio
    Nabatame, Toshihide ; Ogawa, Arito ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006-03-01), S. 054506-54506
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    The relaxation of intrinsic compressive stress in complementary metal-oxide-semiconductor transistors by additional N ion implantation treatment with atomic force microscope-Raman stress extraction
    Chen, Chih ; Kao, S.-C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-05-01), S. 094511-94511
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    Low frequency noise characterizations of ZnO nanowire field effect transistors
    Richter, Curt A. ; Edelstein, Monica D. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 101 (2007-02-15), S. 044313-44313
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    Wie komme ich dran?
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