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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Accurate RF C-V Method to Extract Effective Channel Length and Parasitic Capacitance of Deep-Submicron LDD MOSFETs
    Lee, Sangjun ; Lee, Seonghearn
    In: JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE, Jg. 15 (2015-12-31), Heft 6, S. 653-656
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    LDD NMOSFET의 Metallurgical 게이트 채널길이 추출 방법
    조명석 (Jo, Myung-Suk)
    In: 전기전자학회논문지, Jg. 3 (1999-07-31), Heft 1, S. 118-124
    academicJournal
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  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Deep Submicron SOI n-채널 MOSFET에서 열전자 효과들의 온도 의존성
    박근형 (Keun-Hyung Park) ; 차호일 (Ho-Il Cha)
    In: 한국정보전자통신기술학회 논문지, Jg. 11 (2018-04-30), Heft 2, S. 189-193
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    금속-산화막-반도체 전계효과 트랜지스터의 불순물 분포 변동 효과에 미치는 이온주입 공정의 영향
    박재현 (Jae Hyun Park) ; 장태식 (Tae-sig Chang) ; et al.
    In: 전기전자학회논문지, Jg. 21 (2017-03-31), Heft 1, S. 96-98
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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