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    Quasi-planar bulk CMOS technology for improved SRAM scalability
    Shin, Changhwan ; Tsai, Chen Hua ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 65-66 (2011-11-01), S. 184-190
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effects of high in-situ source/drain boron doping in p-FinFETs on physical and device performance characteristics.
    Shintri, Shashidhar ; Yong, Chloe ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 82 (2018-08-01), S. 9-13
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electrical properties of self-aligned gate-all-around polycrystalline silicon nanowires field-effect transistors.
    Le Borgne, Brice ; Salaün, Anne-Claire ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 150 (2016-01-25), S. 32-38
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Phonon-limited mobility and quantum transport in fluorinated diamane MOSFETs from the first-principles calculations.
    Dong, Linpeng ; Li, Penghui ; et al.
    In: Carbon, Jg. 204 (2023-02-01), S. 295-304
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ultimate vertical gate-all-around metal–oxide–semiconductor field-effect transistor and its three-dimensional integrated circuits.
    Ye, Shujun ; Yamabe, Kikuo ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 134 (2021-11-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    MOSFET output characteristics after oxide breakdown
    Fernández, R. ; Rodríguez, R. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007), Heft 1, S. 31-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Laterally aligned Ge/Si islands: a new concept for faster field-effect transistors
    Schmidt, O.G. ; Denker, U. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 89 (2002-02-14), Heft 1-3, S. 101-105
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Complementary tunneling transistor for low power application
    Wang, P. F. ; Hilsenbeck, K. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-12-01), Heft 12, S. 2281-2286
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impact of multi-finger MOSFET geometry on the electrical performance of RF circuits.
    Saad, Sehmi ; Haddad, Fayrouz ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 129 (2022-02-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams
    Silveira, M.A.G. ; Cirne, K.H. ; et al.
    In: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B, Jg. 273 (2012-02-15), S. 135-138
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Dose loss and segregation of boron and arsenic at the Si/SiO<subscript>2</subscript> interface by atomistic kinetic Monte Carlo simulations
    Rubio, J.E. ; Jaraiz, M. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 124-125 (2005-12-10), S. 392-396
    academicJournal
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    Spintronics: recent progress and tomorrow's challenges
    Tanaka, Masaaki
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 278 (2005-05-01), Heft 1-4, S. 25-37
    academicJournal
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    Nanoscale SOI MOSFETs: a comparison of two options
    Walls, Thomas J. ; Sverdlov, Victor A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-06-01), Heft 6, S. 857-865
    academicJournal
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