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    Novel Design of a Ternary-CMOS With Vertical-Channel Double-Gate Field-Effect Transistors.
    Kim, Jiho ; Kim, Sangwoo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4081-4087
    Online academicJournal
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    A Potential-Based Characterization of the Transfer Gate in CMOS Image Sensors.
    Xu, Yang ; Ge, Xiaoliang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 42-48
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    3-D-Stacked 16-Mpixel Global Shutter CMOS Image Sensor Using Reliable In-Pixel Four Million Microbump Interconnections With 7.6- \mu \textm Pitch.
    Kondo, Toru ; Takazawa, Naohiro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 128-137
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Gate Engineering to Improve Effective Resistance of 28-nm High- $k$ Metal Gate CMOS Devices.
    Jeong, Jin ; Hyuk ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 259-264
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Fast CMOS Analog Multiplier and Divider With Continuous-Time Inverter-Based Flash Digitizer.
    Oshima, Takashi ; Nakamura, Yohei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 934-938
    Online academicJournal
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    Volltext
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    0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters.
    Almeida, Goncalo ; Yang, Zhaochu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 2167-2172
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Impacts of Proton Radiation on Heavy-Ion-Induced Single-Event Transients in 65-nm CMOS Technology.
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 177-183
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A 1.8-nW, −73.5-dB PSRR, 0.2-ms Startup Time, CMOS Voltage Reference With Self-Biased Feedback and Capacitively Coupled Schemes.
    Shao, Cheng-Ze ; Kuo, Shih-Che ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-06-01), Heft 6, S. 1795-1804
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    An All-MOSFET Voltage Reference-Based PUF Featuring Low BER Sensitivity to VT Variations and 163 fJ/Bit in 180-nm CMOS.
    Gan, Peizhou ; Zhao, Xiaojin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits & Systems, Jg. 40 (2021-06-01), Heft 6, S. 1172-1182
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    New Concerns on Heavy Ion Irradiation Induced Variation Degradation in Nanoscale CMOS Devices.
    Ren, Zhexuan ; An, Xia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 2142-2146
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Radiation Hardness Comparison of CMOS Image Sensor Technologies at High Total Ionizing Dose Levels.
    Rizzolo, Serena ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 111-119
    Online academicJournal
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    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    An Accurate Low-Power Power-on-Reset Circuit in 55-nm CMOS Technology.
    You, Heng ; Yuan, Jia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 3361-3365
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    CMOS Ternary Logic With a Biristor Threshold Switch for Low Static Power Consumption.
    Han, Joon-Kyu ; Yu, Ji-Man ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-07-01), Heft 7, S. 1005-1008
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A Study on the Isolation Ability of LOC al O xidation of SiC (LOCOSiC) for 4H-SiC CMOS Process.
    Tsui, Bing-Yue ; Tsai, Te-Kai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 6644-6647
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Signal and Noise Performance of a 110-nm CMOS Technology for Photon Science Applications.
    Traversi, Gianluca ; Dinapoli, Roberto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-04-01), Heft 4, S. 752-759
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A Dual-Mode Wideband +17.7-dBm 60-GHz Power Amplifier in 65-nm CMOS.
    Masoumi Farahabadi, Payam ; Moez, Kambiz
    In: IEEE Transactions on Components, Packaging & Manufacturing Technology, Jg. 7 (2017-12-01), Heft 12, S. 1998-2007
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Demonstration of Ge Nanowire CMOS Devices and Circuits for Ultimate Scaling.
    Wu, Heng ; Wu, Wangran ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 8, S. 3049-3057
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Fully Depleted Ge CMOS Devices and Logic Circuits on Si.
    Wu, Heng ; Ye, Peide D.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 8, S. 3028-3035
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A 6.13 \muW and 96 dB CMOS Exponential Generator.
    Al-Tamimi, Karama Mohammed ; Al-Absi, Munir A.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 22 (2014-11-01), Heft 11, S. 2440-2445
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A −40 °C to 120 °C, 169 ppm/°C Nano-Ampere CMOS Current Reference.
    Huang, Qiwei ; Zhan, Chenchang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 67 (2020-09-01), Heft 9, S. 1494-1498
    Online academicJournal
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