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    Loss analysis and optimum design of a highly efficient and compact CMOS DC–DC converter with novel transistor layout using 60 nm multipillar-type vertical body channel MOSFET
    Endoh, Tetsuo ; Itoh, Kazuki
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-16), S. 04FR12
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    Low-frequency noise reduction in vertical MOSFETs having tunable threshold voltage fabricated with 60 nm CMOS technology on 300 mm wafer process
    Endoh, Tetsuo ; Ma, Yitao ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 54 (2015-03-13), S. 04DC11
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    CMOS Image Sensor Using SOI-MOS/Photodiode Composite Photodetector Device
    Asano, Tanemasa ; Uryo, Yuko
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-07-15), S. 4780-4780
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    Deep Submicron CMOS Technology Using Top-Edge Round STI and Dual Gate Oxide for Low Power 256 M-Bit Mobile DRAM
    Hyeong Joon Kim ; Jo, Namhyuk ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-04-30), S. 1892-1896
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    Analysis of Random Telegraph Signal Noise in Dual and Single Oxide Device and Its Application to Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensor Readout Circuit
    Lee, Hochul ; Yoon, Youngchang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2602-2605
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    Impact of SiN on Performance in Novel Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Architecture Using Substrate Strained-SiGe and Mechanical Strained-Si Technology
    Chung Yi Wu ; San Lein Wu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 46 (2007-05-08), S. 2882-2886
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    A 'Self-Body-Biased' SOI MOSFET: A Novel Body-Voltage-Controlled SOI MOSFET for Low Voltage Applications
    Funakoshi, Shichio ; Terauchi, Mamoru
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-04-30), S. 2014-2019
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    Impact of Geometrical and Electrical Parameters on Speed Performance Characteristics in Ultimate Double-Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
    Loussier, X. ; Tintori, Olivier ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-05-16), S. 3390-3395
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    Analysis of Drivability Enhancement Factors in Nanograting Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
    Mishima, Yasuyoshi ; Fukuda, Masatoshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 3081-3085
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    Small-Signal and Noise Model of Fully Depleted Silicon-on-Insulator Metal–Oxide–Semiconductor Devices for Low-Noise Amplifier
    Taniguchi, Kenji ; Murakami, Bunsei ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 45 (2006-09-07), S. 6872-6877
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    Experimental Study on Improving Unclamped Inductive Switching Characteristics of the New Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Employing Deep Body Contact
    Kim, Soo−Seong ; Ji, In-Hwan ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 45 (2006-04-25), S. 3121-3124
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effect of Oxide Breakdown on Complementary Metal Oxide Semiconductor Circuit Operation and Reliability
    Kamakura, Yoshinari ; Taniguchi, Kenji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-11-15), S. 7866-7870
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    The Characteristic Improvement of Si (111) Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor by Long-Time Hydrogen Annealing
    Takao, Hidekuni ; Kato, Yoshiko ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-10-08), S. 6848-6853
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    Impact of Thermal Stability on the Characteristics of Complementary Metal Oxide Semiconductor Transistors with TiN Metal Gate
    Ya Chen Kao ; Meng Fan Wang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-02-15), S. 546-551
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    High-efficiency MOSFET bridge rectifier for AlN MEMS cantilever vibration energy harvester
    Okada, Hironao ; Kobayashi, T. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-03-06), S. 04CC03
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    Suppression method of low-frequency noise for two-dimensional integrated magnetic sensor
    Masuzawa, Toru ; Kimura, Takayuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-03-02), S. 04CF05
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    Threshold Voltage Modulation Technique using Fluorine Treatment through Atomic Layer Deposition TiN Suitable for Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Devices
    Tagawa, Yukio ; Wakabayashi, Hitoshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2345-2348
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    Uniformly Distributed Wideband Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor Model for Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Radio-Frequency Integrated Cirsuits Applications
    Lin, Yo-Sheng ; Tsou, Yi-Hsun ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-02-15), S. 807-813
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    A Wide-Dynamic-Range Photodiode-Type Active Pixel Sensor Cell with Seamlessly Combined Logarithmic–Linear–Logarithmic Response
    Terauchi, Mamoru ; Hamasaki, Atsushi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 46 (2007-07-04), S. 4050-4053
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    Modeling of Body Factor and Subthreshold Swing in Bulk Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors in Short-Channel Regime
    Hiramoto, Toshiro ; Saitoh, Masumi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 45 (2006-08-04), S. 6173-6176
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