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    Fabrication of self-aligned 90-nm fully depleted SOI CMOS SLOTFETs
    Yost, D.-R. ; Gouker, P. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 22 (2001-07-01), S. 345-347
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Shallow junctions on pillar sidewalls for sub-100-nm vertical MOSFETs
    Ashburn, Peter ; Hall, Steve ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-08-01), S. 692-695
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Realizing and and or Functions With Single Vertical-Slit Field-Effect Transistor
    Lo, G. Q. ; Kamath, Aashit ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-02-01), S. 152-154
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A 22-nm damascene-gate MOSFET fabrication with 0.9-nm EOT and local channel implantation
    Lee, Shin-Ae ; Kim, Sung-min ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-03-01), S. 195-197
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -