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    A 5T Half-SRAM Design for Cold CMOS Physical Unclonable Function Applications and Beyond
    Kanj, Rouwaida ; Kawa, Jamil
    In: 2024 25th International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED), 2024-04-03, S. 1-8
    Konferenz
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    The Modeling and Optimization of Line Width Roughness in Polysilicon Gate for Improving the Performance of CMOS Device
    Wang, Yaoting ; Kong, Mengshu ; et al.
    In: 2024 Conference of Science and Technology for Integrated Circuits (CSTIC), 2024-03-17, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Nanoscale CMOS Biasing Circuit for Analog Applications: The Impact of NBTI Degradation
    Vijay, Ashish ; Duari, Chusen ; et al.
    In: 2023 International Conference for Advancement in Technology (ICONAT), 2023-01-24, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    An alternative radiation hardened by layout design in a CMOS technology
    Ortega, Carlos Alfredo Pelcastre ; Aranda, Monico Linares
    In: 2022 IEEE Latin American Electron Devices Conference (LAEDC), 2022-07-04, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of the Endurance of CMOS IC Elements to Failures after Charged Particle Strike
    Smirnova, Vera P. ; Krupkina, Tatiana Y. ; et al.
    In: 2022 Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus), 2022-01-25, S. 447-450
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A Low Power CMOS Operational Transconductance Amplifier with Improved CMRR
    Maia, Nedson J. ; Sanchez, Arnaldo R. ; et al.
    In: 2020 32nd International Conference on Microelectronics (ICM), 2020-12-14, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    58-GHz Up-Conversion Mixer Using Capacitive Cross-Coupling Neutralization in 180-nm CMOS Technology
    Sahara, Kenta ; Takano, Kyoya ; et al.
    In: 2021 13th Global Symposium on Millimeter-Waves & Terahertz (GSMM), 2021-05-23, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Designing EDA-Compatible Cryogenic CMOS Platform for Quantum Computing Applications
    Wang, Zewei ; Cao, Chengwei ; et al.
    In: 2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2021-04-08, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A Complete Model of Gate Controlled Lateral PNP Devices in CMOS Technology Valid in All Regions of Operation
    Tan, Wei Zheng ; Yew Tan, Philip Beow ; et al.
    In: 2020 4th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2020-04-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Design of CMOS Analog Circuits in Subthreshold Region of Operation
    Manolov, Emil Dimitrov
    In: 2018 IEEE XXVII International Scientific Conference Electronics - ET, 2018-09-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Low Power CMOS Voltage Reference Circuit for High Efficient Power Management Chips
    Beatris, Veluvali Rachel ; R, Julia Karal Adisaya ; et al.
    In: 2022 6th International Conference on Devices, Circuits and Systems (ICDCS), 2022-04-21, S. 248-250
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Multi Valued Logic VHDL Package for Switch Level Simulation of Novel Digital CMOS Circuits
    Keresztes, Peter ; Tukacs, Attila ; et al.
    In: 2018 International Conference on Recent Innovations in Electrical, Electronics & Communication Engineering (ICRIEECE), 2018-07-01, S. 25-28
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    An Improved Small Signal Equivalent Circuit Modeling Based On 65nm CMOS Technology
    Yang, Kunyu ; Wu, Yunqiu ; et al.
    In: 2019 IEEE Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), 2019-12-01, S. 702-704
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Compact Modelling of 22nm FDSOI CMOS Semiconductor Quantum Dot Cryogenic I-V Characteristics
    Tripathi, S. Pati ; Bonen, S. ; et al.
    In: ESSDERC 2021 - IEEE 51st European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2021-09-13, S. 43-46
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Compact Modelling of 22nm FDSOI CMOS Semiconductor Quantum Dot Cryogenic I-V Characteristics
    Tripathi, S. Pati ; Bonen, S. ; et al.
    In: ESSCIRC 2021 - IEEE 47th European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC), 2021-09-13, S. 43-46
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    RF CMOS Transistor Equivalent Circuit Model up to 66 GHz
    Bashir, Muhammad Adil ; Wu, Yunqiu ; et al.
    In: 2018 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), 2018-11-01, S. 372-374
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    New insights on the excess 1/f noise at cryogenic temperatures in 28 nm CMOS and Ge MOSFETs for quantum computing applications
    Asanovski, R. ; Grill, A. ; et al.
    In: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022-12-03, S. 1
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Design and Characterization of the Junction Isolation Structure for Monolithic Integration of Planar CMOS and Vertical Power MOSFET on 4H-SiC up to 300 °C
    Tsui, Bing-Yue ; Tsai, Te-Kai ; et al.
    In: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022-12-03, S. 1
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Effects of Spacer and Single-Charge Trap on Voltage Transfer Characteristics of Gate-All-Around Silicon Nanowire CMOS Devices and Circuits
    Kola, Sekhar Reddy ; Li, Yiming ; et al.
    In: 2020 IEEE 20th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO), 2020-07-01, S. 217-220
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Influence of Negative DIBL Effect on MOSFET Effective Drive Current and CMOS Circuit
    Huang, Weixing ; Zhu, Huilong ; et al.
    In: 2021 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2021-03-14, S. 1-3
    Konferenz
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