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    A defect-based compact modeling approach for the reliability of CMOS devices and integrated circuits
    ESQUEDA, Ivan S ; BARNABY, Hugh J
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 81-86
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    MOSFET modeling for design of ultra-high performance infrared CMOS imagers working at cryogenic temperatures: Case of an analog/digital 0.18 μm CMOS process
    MARTIN, P ; ROYET, A. S ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 62 (2011), Heft 1, S. 115-122
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Active Terahertz Imaging Using Schottky Diodes in CMOS: Array and 860-GHz Pixel
    HAN, Ruonan ; YAMING, ZHANG ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 48 (2013), Heft 10, S. 2296-2308
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Fixed-Pattern-Noise Correction for an Integrating Wide-Dynamic-Range CMOS Image Sensor
    DAS, Dipayan ; COLLINS, Steve
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 1, S. 314-319
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Engineering buried oxide in dopant-segregated Schottky barrier SOI MOSFET for nanoscale CMOS circuits
    PATIL, Ganesh C ; QURESHI, S
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 53 (2013), Heft 3, S. 349-355
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    CMOS Small-Signal and Thermal Noise Modeling at High Frequencies
    ANTONOPOULOS, Angelos ; BUCHER, Matthias ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 11, S. 3726-3733
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Performance of Deep-Depletion Buried-Channel n-MOSFETs for CMOS Image Sensors
    STEFANOV, Konstantin D ; ZHIGE, ZHANG ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 12, S. 4173-4179
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    An approach based on neural computation to simulate the nanoscale CMOS circuits: Application to the simulation of CMOS inverter
    DJEFFAL, F ; CHAHDI, M ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 1, S. 48-56
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Tuning Source/Drain Extension Profile for Current Matching in Nanowire CMOS Logic
    KAUSHAL, Gaurav ; MANHAS, S. K ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 11 (2012), Heft 5, S. 1033-1039
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Timing Optimization and Noise Tolerance for Dynamic CMOS Susceptible to Process Variations
    YELAMARTHI, Kumar ; HENRY CHEN, Chien-In
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 25 (2012), Heft 2, S. 255-265
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Nanowatt-Power-Level Automatic Switch Combining ED-CMOS Circuit and LED
    UTSUNOMIYA, Fumiyasu ; DOUSEKI, Takakuni
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 95 (2012), Heft 6, S. 1104-1109
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Deposition of Carbon Nanotubes on CMOS
    XIAOZHI, WANG ; YAN, ZHANG ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 11 (2012), Heft 2, S. 215-219
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    1.2-V Supply, 100-nW, 1.09-V Bandgap and 0.7-V Supply, 52.5-nW, 0.55-V Subbandgap Reference Circuits for Nanowatt CMOS LSIs
    OSAKI, Yuji ; HIROSE, Tetsuya ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 48 (2013), Heft 6, S. 1530-1538
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Impact of High-Mobility Materials on the Performance of Near- and Sub-Threshold CMOS Logic Circuits
    CRUPI, Felice ; ALBANO, Domenico ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 3, S. 972-977
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High Temperature Characterization up to 450°C of MOSFETs and Basic Circuits Realized in a Silicon-on-Insulator (SOI) CMOS Technology
    GRELLA, K ; DREINER, S ; et al.
    In: Journal of microelectronics and electronic packaging, Jg. 10 (2013), Heft 2, S. 67-72
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Geometry, Temperature, and Body Bias Dependence of Statistical Variability in 20-nm Bulk CMOS Technology: A Comprehensive Simulation Analysis
    XINGSHENG, WANG ; ADAMU-LEMA, Fikru ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 5, S. 1547-1554
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A 65-nm CMOS Temperature-Compensated Mobility-Based Frequency Reference for Wireless Sensor Networks
    SEBASTIANO, Fabio ; BREEMS, Lucien J ; et al.
    In: SPECIAL ISSUE ON THE 36th EUROPEAN SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE (ESSCIRC), Jg. 46 (2011), Heft 7, S. 1544-1552
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Temperature Dependency of Driving Current in High-k/Metal Gate MOSFET and Its Influence on CMOS Inverter Circuit : Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices
    SASAKI, Takeshi ; IMAMOTO, Takuya ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 94 (2011), Heft 5, S. 751-759
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Analysis of double-gate CMOS for double-pole four-throw RF switch design at 45-nm technology
    SRIVASTAVA, Viranjay M ; YADAV, K. S ; et al.
    In: Journal of computational electronics (Print), Jg. 10 (2011), Heft 1-2, S. 229-240
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Insights on Design and Scalability of Thin-BOX FD/SOI CMOS
    CHOUKSEY, Siddharth ; FOSSUM, Jerry G ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 9, S. 2073-2079
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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