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    Vertical Heterostructure III-V MOSFETs for CMOS, RF and Memory Applications
    Jönsson, Adam
    2021
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    Wie komme ich dran?
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    A Self-aligned Gate-last Process applied to All-III-V CMOS on Si
    Jonsson, Adam ; Svensson, Johannes ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018), Heft 7, S. 935-938
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    Wie komme ich dran?
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    Fabrication, characterization, and modeling of metallic source/drain MOSFETs
    Gudmundsson, Valur ; Hellström, Per-Erik, Docent ; et al.
    In: Trita-ICT/MAP AVH, 2011
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Integration of silicide nanowires as Schottky barrier source/drain in FinFETs
    Zhang, Zhen ; Zhang, Shi-Li ; et al.
    In: Trita-ICT/MAP AVH, 2008
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    III-V Devices for Emerging Electronic Applications : III-V komponenter för nya elektroniska applikationer
    Olausson, Patrik
    In: NanoLund: Centre for Nanoscience, 2024-01-25
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    Wie komme ich dran?
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    Improved Electrostatics through Digital Etch Schemes in Vertical GaSb Nanowire p-MOSFETs on Si
    Zhu, Zhongyunshen ; Jönsson, Adam ; et al.
    In: ACS Applied Electronic Materials NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 4 (2022-01-25), Heft 1, S. 531-538
    Online unknown
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    III-V Nanowires for High-Speed Electronics : III-V nanotrådar för höghastighetselektronik
    Lindelöw, Fredrik
    In: Series of licentiate and doctoral theses NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 129 (2020-05-20)
    Online unknown
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    Nanowire Transistors and RF Circuits for Low-Power Applications
    Persson, Karl-Magnus
    2014
    Online unknown
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    Gated Hall effect measurements on selectively grown InGaAs nanowires
    Lindelöw, F. ; Zota, C. B. ; et al.
    In: Nanotechnology NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 28 (2017-04-25), Heft 20
    unknown
    Wie komme ich dran?
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