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    Investigation on Impact of Doped HfO$_{2}$ Thin Film Ferro-Dielectrics on FDSOI NCFET Under Back-Gate Bias Influence
    Shaik, R.R. ; Pradhan, K.P.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 22 (2023), S. 14-19
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    A Three-Phase Isolated Building Block for High-Power Medium-Voltage Grid Applications
    Gomez, R.A. ; Porras, D.A. ; et al.
    In: IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, Jg. 12 (2024-04-01), Heft 2, S. 1324-1336
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Performance Improvement of ${\rm HfO}_{2}/{\rm SrTiO}_{3}$ Hetero-Oxide Transistors Using Argon Bombardment
    Zhu, Z. ; Luo, Z. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-07-01), Heft 7, S. 927-929
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Low-Frequency Noise Characteristics for Various ${\rm ZrO}_{2}$-Added ${\rm HfO}_{2}$-Based 28-nm High-$k$/Metal-Gate nMOSFETs
    Tsai, S. C. ; Wu, S. L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-07-01), Heft 7, S. 834-836
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Characteristics of Self-Aligned Gate-First Ge p- and n-Channel MOSFETs Using CVD $\hbox{HfO}_{2}$ Gate Dielectric and Si Surface Passivation
    Wu, N. ; Zhang, Q. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-04-01), Heft 4, S. 733-741
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Germanium MOSFETs With $\hbox{CeO}_{2}/\hbox{HfO}_{2}/ \hbox{TiN}$ Gate Stacks
    Nicholas, G. ; Brunco, D. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-06-01), Heft 6, S. 1425-1430
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Time-Dependent Dielectric Breakdown and Stress-Induced Leakage Current Characteristics of 0.7-nm-EOT $\hbox{HfO}_{2}$ pFETs
    O'Connor, R. ; Hughes, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 11 (2011-06-01), Heft 2, S. 290-294
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    MOSFET Nonvolatile Memory with High-Density Cobalt-Nanodots Floating Gate and $\hbox{HfO}_{\bf 2}$ High-k Blocking Dielectric
    Pei, Y. ; Yin, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 10 (2011-05-01), Heft 3, S. 528-531
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Gate-first Germanium nMOSFET with CVD HfO/sub 2/ gate dielectric and silicon surface passivation
    Wu, Nan ; Zhang, Qingchun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-06-01), Heft 6, S. 479-481
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Equivalent Circuit Model for the Gate Leakage Current in Broken Down $\hbox{HfO}_{2}/\hbox{TaN/TiN}$ Gate Stacks
    Miranda, E. ; Pey, K. L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-12-01), Heft 12, S. 1353-1355
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Pt-Germanide Schottky source/drain Germanium p-MOSFET with HfO/sub 2/ gate dielectric and TaN gate electrode
    Li, Rui ; Lee, S.J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-06-01), Heft 6, S. 476-478
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Influence of High-k Oxide Thickness on Gate Stack DMG Junctionless SOI MOSFET
    Goswami, Mrinmoy ; Chattopadhyay, Ankush ; et al.
    In: 2021 Devices for Integrated Circuit (DevIC), 2021-05-19, S. 193-197
    Konferenz
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    Microstructures of HfO x Films Prepared via Atomic Layer Deposition Using La(NO 3 ) 3 ·6H 2 O Oxidants
    Seon Yong Kim ; Yong Chan Jung ; et al.
    In: Materials, Vol 14, Iss 7478, p 7478 (2021, 2021
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Nonlinear Dynamics in HfO 2 /SiO 2 -Based Interface Dipole Modulation Field-Effect Transistors for Synaptic Applications.
    Miyata, Noriyuki
    In: Electronics (2079-9292), Jg. 13 (2024-02-15), Heft 4, S. 726-740
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High-performance self-aligned inversion-channel In{sub 0.53}Ga{sub 0.47}As metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors by in-situ atomic-layer-deposited HfO{sub 2}
    2013
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Potential of thin (∼10 nm) HfO2 ferroelectric FDSOI NCFET for performance enhancement in digital circuits at reduced power consumption
    Qureshi, S. ; Mehrotra, Shruti
    In: 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2018-03-01, S. 1-4
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Effects of fluorine incorporation into HfO{sub 2} gate dielectrics on InP and In{sub 0.53}Ga{sub 0.47}As metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors
    Lee, Jack [Department of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Research Center, University of Texas at Austin, Texas 78758 (United States)]
    2010
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    An Accurate Drain Current Model of Multichannel Cylindrical High-K HfO $_{\text{2}}$ -/Si $_{\text{3}}$ N $_{\text{4}}$ -Based GAA-MOSFET for SRAM Application
    Bhol, K. ; Jena, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. PP, Heft 99, S. 1-7
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Investigation on Impact of Doped HfO $_{2}$ Thin Film Ferro-Dielectrics on FDSOI NCFET Under Back-Gate Bias Influence.
    Shaik, Rameez Raja ; Pradhan, K P
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 22 (2023), S. 14-19
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Impact of SF{sub 6} plasma treatment on performance of TaN-HfO{sub 2}-InP metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
    Lee, Jack [Department of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Research Center, University of Texas at Austin, Austin, Texas 78758 (United States)]
    2011
    Online academicJournal
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    View record in SciTech Connect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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