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    p-MOSFET and n-MOSFET Prepared by ICP-Assisted Hot Wire Implantation Doping Technique.
    Chen, Y. H. ; Chang, S. J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-06-01), Heft 6, S. 698-700
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    A Tunnel Diode Body Contact Structure to Suppress the Floating-Body Effect in Partially Depleted SOI MOSFETs.
    Chen, Jing ; Luo, Jiexin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-10-01), Heft 10, S. 1346-1348
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Low-Voltage Steep Turn-On pMOSFET Using Ferroelectric High-\kappa Gate Dielectric.
    Cheng, Chun Hu ; Chin, Albert
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-02-01), Heft 2, S. 274-276
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Dielectric Modulated Tunnel Field-Effect Transistor—A Biomolecule Sensor.
    Narang, Rakhi ; Saxena, Manoj ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-02-01), Heft 2, S. 266-268
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Multifunctional Field-Effect Transistor for High-Density Integrated Circuits.
    Marino, Fabio Alessio ; Meneghesso, Gaudenzio
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-03-01), Heft 3, S. 264-266
    Online academicJournal
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    Impact of Off-State Stress and Negative Bias Temperature Instability on Degradation of Nanoscale pMOSFET.
    Lee, Nam-Hyun ; Kim, Hyungwook ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-02-01), Heft 2, S. 137-139
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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