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    High FET performance for a future CMOS GeO2-based technology
    Bellenger, Florence ; De Jaeger, Brice ; et al.
    2010
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Characterization and design methodology for low-distortion MOSFET-C analog structure's in multithreshold deep-submicrometer SOICMOS technologies
    Vancaillie, L. ; Flandre, Denis ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 53, no. 2, p. 263-269 (2006, 2006
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Characterization and design methodology for low-distortion MOSFET-C analog structure's in multithreshold deep-submicrometer SOICMOS technologies
    Vancaillie, L. ; Flandre, Denis ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 53, no. 2, p. 263-269 (2006, 2006
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Wie komme ich dran?
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    Gate fringe-induced barrier lowering in underlap FinFET structures and its optimization
    SACHID, AB ; MANOJ, CR ; et al.
    2008
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Experimental-determination of self-heating in submicrometer mos-transistors operated in a liquid-helium ambient
    Gutierrezd, Ea ; Deferm, L ; et al.
    1993
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Comprehensive Analysis of Source and Drain Recess Depth Variations on Silicon Nanosheet FETs for Sub 5-nm Node SoC Application
    BAEK, ROCK HYUN ; JINSU, JEONG ; et al.
    2020
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    PBTI in HKMG nMOS Transistors-Effect of Width, Layout, and Other Technological Parameters
    DUHAN, P ; RAO, VR ; et al.
    2017
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Reading Operation and Cell Scalability of Nonvolatile Schottky barrier Multibit Charge-Trapping Memory Cells
    施君興 ; Shih, CH ; et al.
    2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Reading Operation and Cell Scalability of Nonvolatile Schottky barrier Multibit Charge-Trapping Memory Cells
    Luo, YX ; 科技學院:電機工程學系 ; et al.
    2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Device design and optimization considerations for bulk FinFETs
    MANOJ, CR ; NAGPAL, M ; et al.
    2008
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Effects of measurement temperature on NBTI
    Zhang, J. F ; Chang, M. H ; et al.
    2007
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    An analysis of small-signal source-body resistance effect on RF MOSFETs for low-cost system-on-chip (SoC) applications
    林佑昇 ; Lin, YS ; et al.
    2005
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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lg 992 - 1200
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