Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
5 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

5 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Vertical Heterostructure III-V MOSFETs for CMOS, RF and Memory Applications
    Jönsson, Adam
    2021
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in SwePub (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    A Self-aligned Gate-last Process applied to All-III-V CMOS on Si
    Jonsson, Adam ; Svensson, Johannes ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018), Heft 7, S. 935-938
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in SwePub (Volltext)
    Volltext Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    III-V Devices for Emerging Electronic Applications : III-V komponenter för nya elektroniska applikationer
    Olausson, Patrik
    In: NanoLund: Centre for Nanoscience, 2024-01-25
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in SwePub (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Improved Electrostatics through Digital Etch Schemes in Vertical GaSb Nanowire p-MOSFETs on Si
    Zhu, Zhongyunshen ; Jönsson, Adam ; et al.
    In: ACS Applied Electronic Materials NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 4 (2022-01-25), Heft 1, S. 531-538
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in SwePub (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Gated Hall effect measurements on selectively grown InGaAs nanowires
    Lindelöw, F. ; Zota, C. B. ; et al.
    In: Nanotechnology NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 28 (2017-04-25), Heft 20
    unknown
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -