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    Materials and device structures for sub-32 nm CMOS nodes
    SKOTNICKI, Thomas
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 1845-1852
    Konferenz
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    A hybrid CMOS-SET co-fabrication platform using nano-grain polysilicon wires
    ECOFFEY, S ; POTT, V ; et al.
    In: Micro and Nano Engineering 2004: Proceedings of the 30th International Conference on Micro and Nano Engineering, September 19-22, Jg. 78-79 (2005), S. 239-243
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dielectrophoretic assembly and integration of nanowire devices with functional CMOS operating circuitry
    EVOY, S ; DILELLO, N ; et al.
    In: Proceedings of the Symposium on Characterization and Mechanical Reliability of Advanced Electronic Materials at Nanoscale, Jg. 75 (2004), Heft 1, S. 31-42
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    On the scaling of subnanometer EOT gate dielectrics for ultimate nano CMOS technology
    Iwai, Hiroshi ; Wong, Hei
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 138 (2015-04-01), S. 57-76
    Online unknown
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    Challenges of nickel silicidation in CMOS technologies
    Jordan-Sweet, Jean ; Nummy, Karen A. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 137 (2015-04-01), S. 79-87
    Online unknown
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    Reliability and integration of ultra-thin gate dielectrics for advanced CMOS
    BUCHANAN, D. A ; LO, S. H
    In: Microelectronic engineering, Jg. 36 (1997), Heft 1-4, S. 13-20
    academicJournal
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    CMOS-MEMS switches based on back-end metal layers
    Torres, F. ; Munoz-Gamarra, J. L. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 119 (2014-05-01), S. 127-130
    Online unknown
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    An integrated electroless nickel plating process for fabrication of CMOS-MEMS probe chip
    Jian-Ming, Lin ; Chao, Pen-Shan ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 113 (2014), S. 147-151
    Online unknown
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    Integration of NEMS resonators in a 65nm CMOS technology
    Giner, J. ; Marigo, E. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 110 (2013-10-01), S. 246-249
    Online unknown
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    High resolution nanotopography characterization at die scale of 28nm FDSOI CMOS front-end CMP processes
    Beitia, C. ; Rivoire, Maurice ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 113 (2014), S. 105-108
    Online unknown
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    After CMOS: in anticipation of innovative devices on Si
    GAUTIER, J
    In: Microelectronic engineering, Jg. 36 (1997), Heft 1-4, S. 3-10
    academicJournal
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    Reliability issues for nano-scale CMOS dielectrics
    Ribes, G. ; Rafik, M. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-09-01), Heft 9-10, S. 1910-1916
    academicJournal
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    Fabrication of a glucose sensor with oscillator circuit using CMOS-MEMS technique
    Yang, Ming-Zhi ; Dai, Ching-Liang ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 97 (2012-09-01), S. 353-356
    Online unknown
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    Electron- and ion-beam lithography for the fabrication of nanomechanical devices integrated on CMOS circuits
    Rius, Gemma ; Pérez-Murano, Francesc ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-04-01), S. 1046-1049
    Online unknown
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    Nanoscale TiN metal gate technology for CMOS integration
    Lemme, M.C. ; Efavi, J.K. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-04-01), Heft 4-9, S. 1551-1554
    academicJournal
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    SiGe: An attractive material for post-CMOS processing of MEMS
    Sedky, Sherif
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-11-01), S. 2491-2500
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    CMOS gate oxide defects induced by pre-gate plasma process
    Carrere, J.-P. ; Garnier, P. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-09-01), S. 2109-2112
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A direct-write microfluidic fabrication process for CMOS-based Lab-on-Chip applications
    Rajagopalan, Sumitra ; Chodavarapu, Vamsy P. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-10-01), S. 2104-2109
    Online unknown
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    A maskless wet etching silicon dioxide post-CMOS process and its application
    Dai, Ching-Liang
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-11-01), S. 2543-2550
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Band-edge metal gate materials for atomic-layer-deposited HfO2 for future CMOS technology
    Jo, Minseak ; Hwang, Hyunsang ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-09-01), S. 2205-2208
    Online unknown
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