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    III–V/Ge channel MOS device technologies in nano CMOS era
    Kim, Sanghyeon ; Nishi, Koichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 54 (2015-05-07), S. 06FA01
    Online unknown
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    Complementary Self-Biased Logics Based on Single-Electron Transistor (SET)/CMOS Hybrid Process
    Park, Joo-On ; Park, Byung-Gook ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 44 (2005-04-01), S. 2618-2618
    Online unknown
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    Evaluation and Resolution for Nonideal Characteristics of Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Devices Fabricated on Silicon-on-Insulator
    Jong Duk Lee ; Park, Byung-Gook ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-06-13), S. 4408-4412
    Online unknown
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    Device Design and Scalability of a Double-Gate Tunneling Field-Effect Transistor with Silicon–Germanium Source
    Samudra, Ganesh S. ; Heng, Chun-Huat ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2593-2597
    Online unknown
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    Enhanced Tunneling Current Effect for Nonvolatile Memory Applications
    Blomme, Pieter ; Kristin De Meyer ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-04-30), S. 2020-2024
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    Elevated Extension Structure for 35 nm MOSFETs
    Kamata, Yoshiki ; Nishiyama, Akira ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-04-30), S. 2339-2344
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    Design and analysis of nanowire p-type MOSFET coaxially having silicon core and germanium peripheral channel
    Cho, Seongjae ; Yu, Eunseon
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-10-07), S. 114001-114001
    Online unknown
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    Application of Highly-Doped Si Single-Electron Transistors to an Exclusive-NOR Operation
    Kitade, Tetsuya ; Nakajima, Anri
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-03-05), S. L418- (3S.)
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    Impact of doping concentration on 1/f noise performances of accumulation-mode Si(100) n-MOSFETs
    Teramoto, Akinobu ; Sugawa, Shigetoshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-03-08), S. 04ED08
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    Complementary-Metal–Oxide–Semiconductor Technology-Compatible Tunneling Field-Effect Transistors with 14 nm Gate, Sigma-Shape Source, and Recessed Channel
    Park, Byung-Gook ; Kim, Sangwan ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-06-01), S. 06GE06
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    The Performance of Magnetic Tunnel Junction Integrated on the Back-End Metal Line of Complimentary Metal–Oxide–Semiconductor Circuits
    Miura, Katsuya ; Ikeda, Shoji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-04-01), S. 04DM06
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Discrete-Dopant-Fluctuated Transient Behavior and Variability Suppression in 16-nm-Gate Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
    Hwang, Chih-Hong ; Li, Yiming ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-04-20), S. 04C051
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    Modeling Geometry-Dependent Floating-Body Effect Using Body-Source Built-In Potential Lowering for SOI Circuit Simulation
    Lee, Wei ; Su, Pin
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 44 (2005-04-01), S. 2366-2366
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Single Electron Fault Modeling in Basic Quantum Devices
    Mohammad Naser Moghaddasi ; Mahdavi, Mojdeh ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-09-01), S. 094401-94401
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Impact of (Quasi-)Ballistic Transport on Operation of Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Inverters Based on Fully-Depleted Silicon-on-Insulator and Nanowire Devices
    Jaud, Marie-Anne ; Munteanu, Daniela ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011), S. 014103-14103
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    Tungsten Oxide Resistive Memory Using Rapid Thermal Oxidation of Tungsten Plugs
    Gong, Jeng ; Lin, Pang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-04-01), S. 04DD17
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    Silicon-Based Dual-Gate Single-Electron Transistors for Logic Applications
    Yang, Hong-Seon ; Sang Hyuk Park ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-07-21), S. 071203-71203
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    Tolerance-Based Wafer Verification Methodologies with a Die-to-Database Inspection System
    Kotani, Toshiya ; Nojima, Shigeki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-07-21), S. 076502-76502
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical Metal–Oxide–Semiconductor Interfaces by using Metal Source/Drain Ge-on-Insulator Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
    Takenaka, Mitsuru ; Nakane, Ryosho ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-04-20), S. 04C050
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    Design and Finite Element Method Analysis of Laterally Actuated Multi-Value Nano Electromechanical Switches
    Muhammad Mustafa Hussain ; Smith, Casey ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-09-01), S. 094301-94301
    Online unknown
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