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    Integration of Boron-Doped Diamond Microelectrode on CMOS-Based Amperometric Sensor Array by Film Transfer Technology
    Nakano, Masanori ; Matsue, Tomokazu ; et al.
    In: Journal of Microelectromechanical Systems, Jg. 24 (2015-08-01), S. 958-967
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    Carbon Nanotube-Based CMOS Gas Sensor IC: Monolithic Integration of Pd Decorated Carbon Nanotube Network on a CMOS Chip and Its Hydrogen Sensing
    Seok Hyang Kim ; Chung, In-Young ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-10-01), S. 3604-3608
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    Measurement of Subnanosecond Delay Through Multiwall Carbon-Nanotube Local Interconnects in a CMOS Integrated Circuit
    Hon-Sum Philip Wong ; Yasuda, Shinichi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009), S. 43-49
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    Fully Integrated Graphene and Carbon Nanotube Interconnects for Gigahertz High-Speed CMOS Electronics
    Chen, Xiangyu ; Close, G.F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-11-01), S. 3137-3143
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    Extremely scaled silicon nano-CMOS devices
    Chang, Leland ; Hu, Chenming ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE, Jg. 9 (2003-11-01), S. 1860-1873
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    Application of selective silicon epitaxial growth for CMOS technology
    Nakata, H. ; Nagao, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 33 (1986-11-01), S. 1738-1744
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    Submicrometer salicide CMOS devices with self-aligned shallow/deep junctions
    Lu, Chih-Yuan ; Sung, J.J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 10 (1989-11-01), S. 487-489
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    A process for the combined fabrication of ion sensors and CMOS circuits
    Meindl, James D. ; Shott, J.D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 9 (1988), S. 44-46
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    A novel CMOS structure with a reduced drain-substrate capacitance
    Nakamura, T. ; Sagara, Kazuhiko
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 36 (1989-03-01), S. 598-600
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    A novel technique for fabrication of fully depleted CMOS devices in ultra-thin SOI films
    Karulkar, P.C.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 36 (1989-11-01), S. 2622-2622
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    Interface characterization of silicon epitaxial lateral growth over existing SiO/sub 2/ for three-dimensional CMOS structures
    Friedrich, J.A. ; Neudeck, Gerold W.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 10 (1989-04-01), S. 144-146
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    Expanding the Silicon Photonics Portfolio With Silicon Nitride Photonic Integrated Circuits
    Ryckeboer, Eva ; Li, Yanlu ; et al.
    In: Journal of Lightwave Technology, Jg. 35 (2017-02-15), S. 639-649
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    Electrostatic Doping in Semiconductor Devices
    Gupta, Gaurav ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-08-01), S. 3044-3055
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    Thoughts on Possible Future Charge-Based Technologies for Nano-Electronics
    Marshall, Andrew
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 61 (2014-11-01), S. 3057-3065
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    Three-Dimensional Integration of Complementary Metal-Oxide-Semiconductor-Nanoelectromechanical Hybrid Reconfigurable Circuits
    Woo Young Choi ; Yong Jun Kim
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-09-01), S. 887-889
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    Novel Local Silicon-Gate Carbon Nanotube Transistors Combining Silicon-on-Insulator Technology for Integration
    Philip C.H. Chan ; Tang, Zhikai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 8 (2009-03-01), S. 260-268
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    Supertubes [carbon nanotubes
    Avouris, P.
    In: IEEE Spectrum, Jg. 41 (2004-08-01), S. 40-45
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    Towards a Versatile DRIE: Silicon Pit Structures Combined With Electrochemical Etch Stop
    Baltes, Henry ; Hierlemann, Andreas ; et al.
    In: Journal of Microelectromechanical Systems, Jg. 15 (2006-08-01), S. 840-848
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    An Integrated Sensor for Electrochemical Measurements
    Smith, Rosemary L. ; Scott, D. C.
    In: IEEE Transactions on Biomedical Engineering, 1986-02-01, S. 83-90
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    Silicon Crystal Growth and Wafer Technologies
    Seacrist, M. R. ; Fisher, G. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE, Jg. 100 (2012-05-01), S. 1454-1474
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