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    Bilayer Graphene Tunneling FET for Sub-0.2 V Digital CMOS Logic Applications
    Nourbakhsh, Amirhasan ; Agarwal, Tarun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-12-01), S. 1308-1310
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    Multiple-Gate CMOS Thin-Film Transistor With Polysilicon Nanowire
    Kim, Changhoon ; Kim, Sungho ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), S. 102-105
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    Sub-30-nm FUSI CMOS Transistors Fabricated by Simple Method Without Additional CMP Process
    Ohta, H. ; Kawamura, K. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-07-01), S. 765-767
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    A CMOS, fully integrated sensor for electronic detection of DNA hybridization
    Alessandrini, Andrea ; Facci, Paolo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-07-01), S. 595-597
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    High-Performance n-Channel Organic Thin-Film Transistor for CMOS Circuits Using Electron-Donating Self-Assembled Layer
    Sun Hee Lee ; Sung Hoon Kim ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-09-01), S. 1044-1046
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    Vertically Stacked SiGe Nanowire Array Channel CMOS Transistors
    Lakshmi Kanta Bera ; Kwong, Dim-Lee ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-03-01), S. 211-213
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    A process for the combined fabrication of ion sensors and CMOS circuits
    Meindl, James D. ; Shott, J.D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 9 (1988), S. 44-46
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    Normally-Off MOS-HFET on AlGaN/GaN-on-Si(110) Grown by NH3MBE
    Seo, Kwang-Seok ; Jo, Min-Gi ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-12-01), S. 1613-1616
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    An Ultra-Short Channel Monolayer MoS2 FET Defined By the Curvature of a Thin Nanowire
    Kang, Jiahao ; Cao, Wei ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-11-01), S. 1497-1500
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    Performance Evaluation of Silicon and Germanium Ultrathin Body (1 nm) Junctionless Field-Effect Transistor With Ultrashort Gate Length (1 nm and 3 nm)
    Thirunavukkarasu, Vasanthan ; Jhan, Yi-Ruei ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-07-01), S. 654-656
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    Shallow junctions on pillar sidewalls for sub-100-nm vertical MOSFETs
    Ashburn, Peter ; Hall, Steve ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-08-01), S. 692-695
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    Vertical Silicon-Nanowire Formation and Gate-All-Around MOSFET
    Buddharaju, K.D. ; Yang, Bin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-07-01), S. 791-794
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    Characteristic of p-Type Junctionless Gate-All-Around Nanowire Transistor and Sensitivity Analysis
    Chen, Hung-Bin ; Han, Ming-Hung ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-02-01), S. 157-159
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    Performance Improvement by Stress Memorization Technique in Trigate Silicon Nanowire MOSFETs
    Nakabayashi, Yukio ; Numata, Toshinori ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012), S. 8-10
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    High Aspect Ratio Silicon Nanowire for Stiction Immune Gate-All-Around MOSFETs
    Moon, Dong-Il ; Han, Jin-Woo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-08-01), S. 864-866
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Complementary Organic Circuits Using Evaporated $ \hbox{F}_{16}\hbox{CuPc}$ and Inkjet Printing of PQT
    Valipe Ramgopal Rao ; Mhaisalkar, Subodh ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, 2010-11-01
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    A lateral silicon-on-insulator bipolar transistor with a self-aligned base contact
    McVittie, J.P. ; Gibbons, J. F. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 8 (1987-03-01), S. 104-106
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    Vertical Si-Nanowire <formula formulatype='inline'><tex Notation='TeX'>$n$</tex></formula>-Type Tunneling FETs With Low Subthreshold Swing (<formula formulatype='inline'><tex Notation='TeX'>$\leq \hbox{50}\ \hbox{mV/decade}$</tex> </formula>) at Room Temperature
    Singh, Navab ; Gandhi, R. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-04-01), S. 437-439
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    Demonstration of Tunneling FETs Based on Highly Scalable Vertical Silicon Nanowires
    Singh, Navab ; Yu, H.Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-07-01), S. 754-756
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    MOSFET's with one-mask sealed diffusion-junctions for ULSI applications
    Chang, C.P. ; Liu, C.T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 16 (1995-08-01), S. 363-365
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