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    Vertical Heterostructure III-V MOSFETs for CMOS, RF and Memory Applications
    Jönsson, Adam
    2021
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    A Self-aligned Gate-last Process applied to All-III-V CMOS on Si
    Jonsson, Adam ; Svensson, Johannes ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018), Heft 7, S. 935-938
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    CMOS compatible on-chip decoupling capacitor based on vertically aligned carbon nanofibers
    Saleem, Amin M ; Göransson, Gert ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 107 (2015), S. 15-19
    unknown
    Wie komme ich dran?
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    Effects of TiN Top Electrode Texturing on Ferroelectricity in Hf1-xZrxO2
    Athle, Robin ; Persson, Anton E.O. ; et al.
    In: ACS applied materials & interfaces NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 13 (2021), Heft 9, S. 11089-11095
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Resonators with integrated CMOS circuitry for mass sensing applications, fabricated by electron beam lithography
    Ghatnekar-Nilsson, Sara ; Forsen, E ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 16 (2005), Heft 1, S. 98-102
    unknown
    Wie komme ich dran?
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    Single InAs/GaSb Nanowire Low-Power CMOS Inverter
    Dey, Anil ; Svensson, Johannes ; et al.
    In: Nano Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, 2012
    unknown
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of cantilever based mass sensors integrated with CMOS using direct write laser lithography on resist
    Forsen, E ; Ghatnekar-Nilsson, Sara ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 15 (2004), Heft 10, S. 628-633
    unknown
    Wie komme ich dran?
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    Vertical III-V nanowire MOSFETs, TFETs, and CMOS-Gates on Si : Processing in 3D
    Wernersson, Lars Erik
    In: 74th Annual Device Research Conference, DRC 2016,Newark, United States,-- 74th Annual Device Research Conference, Jg. 2016-August (2016-08-22)
    unknown
    Wie komme ich dran?
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    III-V Nanowire Complementary Metal-Oxide Semiconductor Transistors Monolithically Integrated on Si
    Svensson, Johannes ; Dey, Anil ; et al.
    In: Nano Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 15 (2015), Heft 12, S. 7898-7904
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    III-V Devices for Emerging Electronic Applications : III-V komponenter för nya elektroniska applikationer
    Olausson, Patrik
    In: NanoLund: Centre for Nanoscience, 2024-01-25
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Improved Electrostatics through Digital Etch Schemes in Vertical GaSb Nanowire p-MOSFETs on Si
    Zhu, Zhongyunshen ; Jönsson, Adam ; et al.
    In: ACS Applied Electronic Materials NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 4 (2022-01-25), Heft 1, S. 531-538
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Vertical III-V Nanowire Transistors for Low-Power Logic and Reconfigurable Applications
    Zhu, Zhongyunshen
    2023
    Online unknown
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    Vertical Gate-All-Around Nanowire GaSb-InAs Core-Shell n-Type Tunnel FETs
    Vasen, T. ; Ramvall, P. ; et al.
    In: Scientific Reports NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 9 (2019-01-17), Heft 1
    Online unknown
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    Integration of Ferroelectric HfO2 onto a III-V Nanowire Platform
    Persson, Anton E. O.
    In: Licentiate and Doctoral Theses, Jg. 156 (2023), Heft 156
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Linear and nonlinear characterization of low-stress high-confinement silicon-rich nitride waveguides
    Krückel, Clemens ; Fülöp, Attila ; et al.
    In: Phase-sensitive optical parametric amplifiers (PSOPA) Optics Express, Jg. 23 (2015), Heft 20, S. 25827-25837
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Linear and nonlinear characterization of low-stress high-confinement silicon-rich nitride waveguides
    Krückel, Clemens ; Fülöp, Attila ; et al.
    In: Phase-sensitive optical parametric amplifiers (PSOPA) Optics Express, Jg. 23 (2015), Heft 20, S. 25827-25837
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Reducing ambipolar off-state leakage currents in III-V vertical nanowire tunnel FETs using gate-drain underlap
    Krishnaraja, Abinaya ; Svensson, Johannes ; et al.
    In: Applied Physics Letters NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 115 (2019-10-01), Heft 14
    Online unknown
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    Integration of InSb on Si by Rapid Melt Growth
    Menon, Heera ; Svensson, Johannes ; et al.
    In: 21th International Vacuum Congress,Malmö, Sweden,-- NanoLund: Centre for Nanoscience, 2019-05-01
    Online unknown
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    Ambipolar transport in narrow bandgap semiconductor InSb nanowires
    Dalelkhan, B. ; Göransson, D. J.O. ; et al.
    In: Nanoscale NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 12 (2020), Heft 15, S. 8159-8165
    unknown
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    Synthesis and Applications of III-V Nanowires
    Barrigón, Enrique ; Heurlin, Magnus ; et al.
    In: Chemical Reviews NanoLund: Centre for Nanoscience, Jg. 119 (2019-08-14), Heft 15, S. 9170-9220
    unknown
    Wie komme ich dran?
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