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    Strain effect on performance of multi-stacked gate-all-around CMOS inverters.
    Kim, Kihwan ; Lee, Ji Hwan ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 35 (2020-12-01), Heft 12, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Beyond CMOS Electronics: Self-Assembled Nanostructures.
    Kamins, Ted
    In: Interface, Jg. 14 (2005-03-01), Heft 1, S. 46-49
    Online academicJournal
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    Design and modeling of the electrostatically controlled nanowire FET for ppt-level hydrogen sensing.
    Mutsafi, Zoe ; Shimanovich, Klimentiy ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 57 (2024-01-12), Heft 2, S. 1-9
    academicJournal
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    Self-catalyzed InAs nanowires grown on Si: the key role of kinetics on their morphology.
    Dhungana, Daya S ; Mallet, Nicolas ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 33 (2022-11-26), Heft 48, S. 1-9
    academicJournal
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    Top-down fabrication and electrical characterization of Si and SiGe nanowires for advanced CMOS technologies.
    Barraud, S ; Previtali, B ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 34 (2019-07-01), Heft 7, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Titanium dioxide nanowire sensor array integration on CMOS platform using deterministic assembly.
    Oren Z Gall ; Zhong, Xiahua ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 28 (2017-06-30), Heft 26, S. 1-1
    academicJournal
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    Performance simulation and analysis of a CMOS/nano hybrid nanoprocessor system.
    Adam C Cabe ; Das, Shamik
    In: Nanotechnology, Jg. 20 (2009-04-22), Heft 16, S. 165203-165203
    Online academicJournal
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    Nano/CMOS architectures using a field-programmable nanowire interconnect.
    Gregory S Snider ; Stanley, R
    In: Nanotechnology, Jg. 18 (2007-01-24), Heft 3, S. 35204-35204
    Online academicJournal
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    CMOS considerations in nanoelectromechanical carbon nanotube-based switches.
    M Y A Yousif ; Lundgren, P ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 19 (2008-07-16), Heft 28, S. 85204-85204
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Ge quantum wire memristor.
    Böckle, R ; Sistani, M ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-10-30), Heft 44, S. 1-6
    academicJournal
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    Germanium nanowire microbolometer.
    Bartmann, M G ; Sistani, M ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 33 (2022-06-11), Heft 24, S. 1-6
    academicJournal
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    Low-noise, high-detectivity, polarization-sensitive, room-temperature infrared photodetectors based on Ge quantum dot-decorated Si-on-insulator nanowire field-effect transistors.
    John, John Wellington ; Dhyani, Veerendra ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-07-30), Heft 31, S. 1-9
    academicJournal
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    Verifying the band gap narrowing in tensile strained Ge nanowires by electrical means.
    Bartmann, M G ; Sistani, M ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-04-02), Heft 14, S. 1-5
    academicJournal
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    Defect-tolerant interconnect to nanoelectronic circuits: internally redundant demultiplexers based on error-correcting codes.
    Philip J Kuekes ; Robinett, Warren ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 16 (2005-06-01), Heft 6, S. 869-882
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Polyimide as a versatile enabling material for microsystems fabrication: surface micromachining and electrodeposited nanowires integration.
    Walewyns, Thomas ; Reckinger, Nicolas ; et al.
    In: Journal of Micromechanics & Microengineering, Jg. 23 (2013-09-01), Heft 9, S. 1-12
    Online academicJournal
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    A review of III–V planar nanowire arrays: selective lateral VLS epitaxy and 3D transistors.
    Zhang, Chen ; Miao, Xin ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 50 (2017-10-04), Heft 39, S. 1-1
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Plasma etch technologies for the development of ultra-small feature size transistor devices.
    Borah, D. ; Shaw, M. T. ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 44 (2011-05-04), Heft 17, S. 174012-1- (12S.)
    Online academicJournal
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    Silicon and germanium nanowire electronics: physics of conventional and unconventional transistors.
    Walter M Weber ; Mikolajick, Thomas
    In: Reports on Progress in Physics, Jg. 80 (2017-06-01), Heft 6, S. 1-1
    academicJournal
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    CMOL: A Silicon-Based Button-Up Approach to Nanoelectronics.
    Likharev, Konstantin K.
    In: Interface, Jg. 14 (2005-03-01), Heft 1, S. 43-45
    Online academicJournal
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    Electron dynamics in In x Ga1−x As shells around GaAs nanowires probed by terahertz spectroscopy.
    Fotev, Ivan ; Balaghi, Leila ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 30 (2019-06-14), Heft 24, S. 1-1
    academicJournal
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xs 0 - 576
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