Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
13 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Sprache

13 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Impact of Neutron-Induced Displacement Damage on the Multiple Bit Upset Sensitivity of a Bulk CMOS SRAM.
    Gadlage, Matthew J. ; Kay, Matthew J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2722-2728
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Single-Event Tolerant Flip-Flop Design in 40-nm Bulk CMOS Technology.
    Jagannathan, S. ; Loveless, T. D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 3033-3037
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Real-Time Soft-Error Testing Results of 45-nm, High-K Metal Gate, Bulk CMOS SRAMs.
    Seifert, Norbert ; Kirsch, Matthew
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2818-2823
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Supply Voltage Dependence of Heavy Ion Induced SEEs on 65 nm CMOS Bulk SRAMs.
    Wu, Qiong ; Li, Yuanqing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-15), Heft 4b, S. 1898-1904
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    The Susceptibility of 45 and 32 nm Bulk CMOS Latches to Low-Energy Protons.
    Seifert, Norbert ; Gill, Balkaran ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2711-2718
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Underground Experiment and Modeling of Alpha Emitters Induced Soft-Error Rate in CMOS 65 nm SRAM.
    Martinie, Sebastien ; Autran, Jean-Luc ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 1048-1053
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Neutron-Induced Multiple-Cell Upsets in 20-nm Bulk SRAM: Angular Sensitivity and Impact of Multiwell Potential Perturbation.
    Kato, Takashi ; Yamazaki, Takashi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1381-1389
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Design Framework for Soft-Error-Resilient Sequential Cells.
    Lee, Hsiao-Heng Kelin ; Lilja, Klas ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 3026-3032
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A 65 nm Low-Power Adaptive-Coupling Redundant Flip-Flop.
    Masuda, Masaki ; Kubota, Kanto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-01), Heft 4, S. 2750-2755
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    TIARA: Industrial Platform for Monte Carlo Single-Event Simulations in Planar Bulk, FD-SOI, and FinFET.
    Thery, Thomas ; Gasiot, Gilles ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 603-610
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Scaling Trends of Digital Single-Event Effects: A Survey of SEU and SET Parameters and Comparison With Transistor Performance.
    Kobayashi, Daisuke
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 124-148
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Impact of Irradiation Side on Neutron-Induced Single-Event Upsets in 65-nm Bulk SRAMs.
    Abe, Shinichiro ; Liao, Wang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1374-1380
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Characterization of Single-Event Transients in Schmitt Trigger Inverter Chains Operating at Subthreshold Voltages.
    Gadlage, Matthew J. ; Ahlbin, Jonathan R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-01-15), Heft 1, part 2, S. 637-642
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -