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    Total ionizing dose hardness analysis of transistors in commercial 180 nm CMOS technology
    Kumar, Mukesh ; Chawla, Anuj ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 115 (2021-09-01), S. 105182-105182
    Online unknown
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    A CMOS low noise amplifier with employing noise cancellation and modified derivative superposition technique
    Asieh Parhizkar Tarighat ; Yargholi, Mostafa
    In: Microelectronics Journal, Jg. 54 (2016-08-01), S. 116-125
    Online unknown
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    Total dose radiation effects of hybrid bulk/SOI CMOS active pixel with buried channel SOI source follower
    Yang, Xiao-liang ; Du, Bin ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 45 (2014-04-01), S. 477-481
    Online unknown
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    A CMOS fast transient response low-dropout regulator with a compact NMOS output driver
    Andre Luis Vilas Boas ; Jose Antonio Siqueira Dias ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 45 (2014-03-01), S. 272-276
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    Reconfigurable CMOS with undoped silicon nanowire midgap Schottky-barrier FETs
    Krauss, Tillmann ; Schwalke, Udo ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 44 (2013-12-01), S. 1072-1076
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    A single-input dual-output 13.56MHz CMOS AC–DC converter with comparator-driven rectifiers for implantable devices
    Je, Minkyu ; Cha, Hyouk-Kyu
    In: Microelectronics Journal, Jg. 45 (2014-03-01), S. 277-281
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    A CMOS linear-in-dB VGA and AGC loop for telecommunication applications
    Mountrichas, L. ; Kalenteridis, V. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 44 (2013-12-01), S. 1063-1071
    Online unknown
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    A low power and high linearity UWB low noise amplifier (LNA) for 3.1–10.6 GHz wireless applications in 0.13 μm CMOS process
    Hakimi, Ahmad ; Saryazdi, Saeed ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 44 (2013-03-01), S. 201-209
    Online unknown
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    Design and characterization of high-voltage NMOS and PMOS devices in standard 0.25μm CMOS technology
    Xu, Chihao ; Han, Xiaoliang
    In: Microelectronics Journal, Jg. 38 (2007-10-01), S. 1038-1041
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    Micro FET pressure sensor manufactured using CMOS-MEMS technique
    Tai, Yao-Wei ; Kao, Pin-Hsu ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 39 (2008-05-01), S. 744-749
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    Design of SCR-based ESD protection device for power clamp using deep-submicron CMOS technology
    Koo, Yong-Seo ; Kim, Kui-Dong ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 40 (2009-06-01), S. 1007-1012
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    High-voltage NMOS design in fully implanted twin-well CMOS
    Quaresma, H.J. ; Lanca, M. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 35 (2004-09-01), S. 723-730
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    Influence of ionising radiation on the performance of CMOS inverter
    Chakrabarti, P. ; Dasgupta, S ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 32 (2001-07-01), S. 615-620
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    New CMOS fully differential difference transconductors and application to fully differential filters suitable for VLSI
    Mahmoud, Soliman A. ; Soliman, Ahmed M.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 30 (1999-02-01), S. 169-192
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    Generation of CMOS voltage-controlled floating resistors
    Mahmoud, Soliman A. ; Elwan, Hassan ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 28 (1997-08-01), S. 627-640
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    3D CMOS devices in recrystallized silicon
    Seitz, S. ; Haberger, K. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 21 (1990), S. 13-20
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Scattering-limited and ballistic transport in a nano-CMOS circuit
    Arora, Vijay K. ; Ismail, Razali ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 40 (2009-03-01), S. 581-583
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A CMOS process for VLSI instrumentation
    Tong Qin Yi ; Robertson, J.M.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 13 (1982-11-01), S. 29-32
    Online unknown
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    Influence of series and parallel transistors on DC characteristics of CMOS logic circuits
    Dokic, Branko
    In: Microelectronics Journal, Jg. 13 (1982), S. 25-30
    Online unknown
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    CMOS schmitt trigger with wide hysteresis
    Dokic, Branko
    In: Microelectronics Journal, Jg. 15 (1984-03-01), S. 24-29
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