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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    (Invited) Factors Impacting Threshold Voltage in Advanced CMOS Integration: Gate Last (FINFET) vs. Gate First (FDSOI)
    Luning, Scott ; Kluth, Jon ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 69 (2015-09-08), S. 103-110
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Challenges and Solutions of Extremely Thin SOI (ETSOI) for CMOS Scaling to 22nm Node and Beyond
    Schmitz, Stefan ; Shahidi, Ghavam G. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 27 (2010-11-23), S. 951-957
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Revolutionary Nanoelectronic Devices and Processes for Post 32nm CMOS Era
    Nishi, Yoshio
    In: ECS Transactions, Jg. 19 (2009-05-15), S. 3-14
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    An Industrial 650V GaN DHEMT Cascode Technology
    Bauwens, Filip ; Liu, Charlie ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 64 (2014-08-08), S. 171-183
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Can 3-D Devices Extend Moore's Law Beyond the 32 nm Technology Node?
    Orlowski, Marius K. ; Wild, Andreas A.
    In: ECS Transactions, Jg. 3 (2006-10-20), S. 3-17
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -