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    Pattern transfer of directed self-assembly patterns for CMOS device applications
    Sanders, Daniel P. ; Engelmann, Sebastian ; et al.
    In: Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, Jg. 12 (2013-09-25), S. 041305-41305
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Exploiting sub-20-nm complementary metal-oxide semiconductor technology challenges to design affordable systems-on-chip
    Zhu, Qiuling ; Strojwas, Andzrej ; et al.
    In: Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, Jg. 14 (2014-12-30), S. 011007-11007
    Online unknown
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    Architectural strategies in standard-cell design for the 7 nm and beyond technology node
    Schuddinck, P. ; Mercha, Abdelkarim ; et al.
    In: Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, Jg. 15 (2016-02-25), S. 013507-13507
    Online unknown
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    Special Section Guest Editorial: Advanced Plasma-Etch Technology
    Zhang, Ying ; Lin, Qinghuang ; et al.
    In: Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, Jg. 12 (2013-12-23), S. 041301-41301
    Online unknown
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    Electrical impact of line-edge roughness on sub-45-nm node standard cells
    Pan, David Z. ; Sundareswaran, Savithri ; et al.
    In: Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, Jg. 9 (2010-10-01), S. 041206-41206
    Online unknown
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    Post place and route design-technology co-optimization for scaling at single-digit nodes with constant ground rules
    Chava, Bharani ; Schuddinck, P. ; et al.
    In: Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, Jg. 17 (2018-01-18), S. 1-1
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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