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    Influence of Spacer Thickness on the Noise Performance in InP HEMTs for Cryogenic LNAs
    Li, Junjie ; Pourkabirian, Arsalan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022), Heft 7, S. 1029-1032
    Online unknown
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    View record in SwePub (Volltext)
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    Wie komme ich dran?
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    InP HEMTs for Sub-mW Cryogenic Low-Noise Amplifiers
    Cha, Eunjung ; Wadefalk, Niklas ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020), Heft 7, S. 1005-1008
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Impact of intrinsic channel resistance on noise performance of CMOS LNA.
    Chen, Jiwei ; Shi, Bingxue
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 23 (2002), Heft 1, S. 34-36
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    InP-HEMT X-band Low-Noise Amplifier With Ultralow 0.6-mW Power Consumption.
    Liu, Liang ; Alt, Andreas R. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-02-01), Heft 2, S. 209-211
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Temperature and Substrate-Impedance Dependence of Noise Figure of Monolithic RF Inductors on Silicon.
    Lin, Yo-Sheng
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-06-01), Heft 6, S. 397-400
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Temperature and Substrate-Impedance Dependence of Noise Figure of Monolithic RF Inductors on Silicon.
    Lin, Yo-Sheng
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-06-01), Heft 6, S. 397-400
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    High-Performance 90-nm Dual-Gate nMOSFETs With Field-Plate Technology.
    Fu, Jeffrey S. ; Chiu, Hsien-Chin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-03-01), Heft 3, S. 291-293
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Improved Linearity for Low-Noise Applications in 0.25-μm GaN MISHEMTs Using ALD Al2O3 as Gate Dielectric.
    Liu, Z. H. ; Ng, G. I. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-08-01), Heft 8, S. 803-805
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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