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    A 28 nm CMOS low-noise amplifier with novel redundant noise cancellation technique beyond ultra-wideband for 6G-based wireless systems.
    Jatoth, Deepak Naik ; Gorre, Pradeep ; et al.
    In: AEU: International Journal of Electronics & Communications, Jg. 174 (2024-01-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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    Design of a low power LNA circuit with noise canceling approach in 90 nm CMOS process.
    Singh, Vikram ; Kumar, Manoj ; et al.
    In: Integration: The VLSI Journal, Jg. 96 (2024-05-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A sub-1V dual-path noise and distortion canceling CMOS LNA for low power wireless applications.
    Jafari, Babak Mazhab ; Shamsi, Hossein
    In: Microelectronics Journal, Jg. 104 (2020-10-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A wideband noise cancelling balun LNA employing current reuse technique.
    Eskandari, R. ; Ebrahimi, A. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 76 (2018-06-01), S. 1-7
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impact of multi-finger MOSFET geometry on the electrical performance of RF circuits.
    Saad, Sehmi ; Haddad, Fayrouz ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 129 (2022-02-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Shallow Extension Engineered Dual Material Surrounding Gate (SEE-DM-SG) MOSFET for improved gate leakages, analysis of circuit and noise performance.
    Goel, Anubha ; Rewari, Sonam ; et al.
    In: AEU: International Journal of Electronics & Communications, Jg. 111 (2019-11-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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