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    MASTAR VA: A predictive and flexible compact model for digital performances evaluation of CMOS technology with conventional CAD tools
    LACORD, Joris ; GHIBAUDO, Gérard ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 137-146
    academicJournal
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    Statistical DOE―ILP based power―performance-process (P3) optimization of nano-CMOS SRAM
    MOHANTY, Saraju P ; SINGH, Jawar ; et al.
    In: Integration (Amsterdam), Jg. 45 (2012), Heft 1, S. 33-45
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A study of gateless OTP cell using a 45 nm CMOS compatible process
    TSAI, Yi-Hung ; LIN, Kai-Chun ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 53 (2009), Heft 10, S. 1092-1098
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Demonstration of Conductive Bridging Random Access Memory (CBRAM) in logic CMOS process
    GOPALAN, C ; MA, Y ; et al.
    In: Special Issue Devoted to the 2nd International Memory Workshop (IMW 2010), Jg. 58 (2011), Heft 1, S. 54-61
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A low power CMOS compatible embedded EEPROM for passive RFID tag
    LEE, Kyoung-Su ; CHUN, Jung-Hoon ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 41 (2010), Heft 10, S. 662-668
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Review of fuse and antifuse solutions for advanced standard CMOS technologies
    EBRARD, Elodie ; ALLARD, Bruno ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 40 (2009), Heft 12, S. 1755-1765
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ultrathin DPN STI SiON liner for 40 nm low-power CMOS technology
    HU, Chan-Yuan ; CHEN, Jone F ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 5, S. 564-567
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design and analysis of a 32 nm PVT tolerant CMOS SRAM cell for low leakage and high stability
    SHENG, LIN ; KIM, Yong-Bin ; et al.
    In: Integration (Amsterdam), Jg. 43 (2010), Heft 2, S. 176-187
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Resilience Articulation Point (RAP): Cross-layer dependability modeling for nanometer system-on-chip resilience : RELIABILITY AND VARIABILITY OF DEVICES FOR CIRCUITS AND SYSTEMS
    HERKERSDORF, Andreas ; ALIEE, Hananeh ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 6-7, S. 1066-1074
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Real-time soft-error rate measurements: A review
    AUTRAN, J. L ; MUNTEANU, D ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 8, S. 1455-1476
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Study of nanocrystal memory integration in a Flash-like NOR device
    GERARDI, Cosimo ; LOMBARDO, Salvatore ; et al.
    In: 14TH Workshop on dielectrics in microelectronics (WoDiM 2006), Jg. 47 (2007), Heft 4-5, S. 593-597
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Novel RAM cell designs based on inherent capabilities of quantum-dot cellular automata
    MOSTAFA ABDOLLAHIAN, DEHKORDI ; ABBAS SHAHINI, SHAMSABADI ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 42 (2011), Heft 5, S. 701-708
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A single-poly EEPROM cell for embedded memory applications
    DI BARTOLOMEO, A ; RÜCKER, H ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 53 (2009), Heft 6, S. 644-648
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Characteristics control of room-temperature operating single electron transistor with floating gate by charge pump circuit
    NOZUE, Motoki ; SUZUKI, Ryota ; et al.
    In: Selected extended papers from ULIS 2012 conference, Jg. 88 (2013), S. 61-64
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Downscaling ferroelectric field effect transistors by using ferroelectric Si-doped HfO2
    MARTIN, Dominik ; YURCHUK, Ekaterina ; et al.
    In: Selected extended papers from ULIS 2012 conference, Jg. 88 (2013), S. 65-68
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    An embedded nonvolatile memory cell with spacer floating gate for power management integrated circuit applications
    NA, Kee-Yeol ; BAEK, Ki-Ju ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 86 (2013), S. 32-35
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Low power options for 32 nm always-on SRAM architecture
    HAMOUCHE, Lahcen ; ALLARD, Bruno
    In: Special Issue Devoted to the 2nd International Memory Workshop (IMW 2010), Jg. 58 (2011), Heft 1, S. 83-95
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications
    SASAKI, K. R. A ; NICOLETTI, T ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 97 (2014), S. 30-37
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Adaptive static and dynamic noise margin improvement in minimum-sized 6T-SRAM cells
    ALORDA, Bartomeu ; TORRENS, Gabriel ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 11, S. 2613-2620
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A journey towards reliability improvement of TiO2 based Resistive Random Access Memory: A review
    ACHARYYA, D ; HAZRA, A ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 3, S. 541-560
    academicJournal
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