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    Basic memory elements using DICE cells for fault-tolerant 28 nm CMOS RAM
    Stepanov, Pavel ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-11-01), S. 368-379
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Features of design of submicron CMOS of Static RAMs with an increased failure resistance to the effect of high-energy particles
    Cherkasov, I. G. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 39 (2010-03-01), S. 79-90
    Online unknown
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    Electrically programmable nonvolatile memory in CMOS technology
    Ermakov, I. V. ; Shelepin, N. A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-11-14), S. 449-452
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Error-correction coding in CMOS RAM resistant to the effect of single nuclear particles
    V. Ya. Stenin ; Petrov, K. A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-09-01), S. 316-323
    Online unknown
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    Temporal characterization of static CMOS RAM, compiled by Subμm design rules
    Bachmanov, V. A. ; Bobrikov, S. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 40 (2011-12-01), S. 491-496
    Online unknown
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    Dominant mechanisms of transient-radiation upset in CMOS RAM VLSI circuits realized in SOS technology
    Poljakov, I. V. ; Nikiforov, A. Y. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 35 (2006-05-01), S. 162-176
    Online unknown
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    Upset-resilient RAM on STG DICE memory elements with the spaced transistors into two groups
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 45 (2016-11-01), S. 419-432
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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