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    Properties of silicon oxide films deposited by plasma-enhanced CVD using organosilicon reactants and mass analysis in plasma
    INOUE, Y ; TAKAI, O
    In: Proceedings of the 1st Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering, Jg. 341 (1999), Heft 1-2, S. 47-51
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    LP-CVD silicon-based film formation in submicrometer trenches in industrial equipment: Experiments and simulation
    GRIS, Hervé ; CAUSSAT, Brigitte ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 8 (2002), Heft 5, S. 213-219
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Low dielectric constant SiO2:C, F films prepared from Si(OC2H5)4/C4F8/Ar by plasma-enhanced CVD
    DING, Shi-Jin ; ZHANG, David Wei ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 7 (2001), Heft 4, S. 142-146
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Pentamethylcyclopentadienyl disilane as a novel precursor for the CVD of thin silicon films
    KLIPP, A ; HAMELMANN, F ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 6 (2000), Heft 2, S. 63-66
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Modeling of CVD of silicon dioxide using TEOS and ozone in a single-wafer reactor
    EUI JUNG, KIM ; GILL, W. N
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 141 (1994), Heft 12, S. 3462-3472
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thin films deposition from hexamethyldisiloxane and hexamethyldisilazane under Dielectric-Barrier discharge (DBD) conditions
    SCHMIDT-SZALOWSKI, K ; RZANEK-BOROCH, Z ; et al.
    In: Plasmas and polymers, Jg. 5 (2000), Heft 3-4, S. 173-190
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Oligomerization and polymerization steps in remote plasma chemical vapor deposition of silicon-carbon and silica films from organosilicon sources
    WROBEL, A. M ; WALKIEWICZ-PIETRZYKOWSKA, A ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 13 (2001), Heft 5, S. 1884-1895
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of low dielectric carbon-doped silicon oxide films prepared by PECVD using methyltrimethoxysilane precursor
    CHANG SIL, YANG ; YOUNG HUN, YU ; et al.
    In: Proceedings of the joint meeting of the 7th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and the 17th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials), Fukuoka, Japan, June 29-July 2, 2004, Jg. 506-07 (2006), S. 50-54
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Mechanism of amorphous silica film formation from tetraethoxysilane in atomic oxygen-induced chemical vapor deposition
    WROBEL, A. M ; WALKIEWICZ-PIETRZYKOWSKA, A ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 145 (1998), Heft 8, S. 2866-2876
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Characterization of tetra methyl cyclo tetra siloxanes-based low-k dielectric film
    WIDODO, J ; LU, W ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2003), Symposium L: Advances in Materials for Si Microelectronics-From Processing to Packaging, Jg. 462-63 (2004), S. 213-218
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Integrated multiscale process simulation
    CALE, T. S ; BLOOMFIELD, M. O ; et al.
    In: Selected papers of the IUMRS Symposium on Multiscale Materials Modeling, Jg. 23 (2002), Heft 1-4, S. 3-14
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Multiple scale integrated modeling of deposition processes
    MERCHANT, Tushar P ; GOBBERT, Matthias K ; et al.
    In: Process and materials modeling in IC fabrication, Jg. 365 (2000), Heft 2, S. 368-375
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Investigation of SiO2 deposition processes with mass spectrometry and optical emission spectroscopy in plasma enhanced chemical vapor deposition using tetraethoxysilane
    HORII, N. M ; OKIMURA, K ; et al.
    In: Proceedings of the Thin Films and Electronic Materials and Processing sessions from the 14th International Vacuum Congress, Birmingham, UK, 31 August-4 September, 1998, Jg. 343-4 (1999), S. 148-151
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Step coverage analysis for hexamethyldisiloxane and ozone atmospheric pressure chemical vapor deposition
    FUJINO, K ; EGASHIRA, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 3B, S. 473-475
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Molecular-scale growth of silicon oxide on polymer substrate through vacuum ultraviolet light-assisted photooxidation of organosilane precursor
    HOZUMI, Atsushi ; INAGAI, Hironobu ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 437 (2003), Heft 1-2, S. 89-94
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Correlations entre conditions d'élaboration et microstructure de dépôts LPCVD: Partie 5: Dépôt de SIPOS à partir de silane et de protoxyde d'azote / Correlations between operating conditions and microstructure of LPCVD films. Part 5 : SIPOS deposition from silane and nitrous oxide
    BARATHIEU, P ; CAUSSAT, B ; et al.
    In: Entropie (Paris), Jg. 36 (2000), Heft 227, S. 2-9
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Silicon oxide films from the Plasmodul®
    WALKER, M ; BAUMGÄRTNER, K.-M ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 57 (2000), Heft 4, S. 387-397
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Deposition kinetics of silicon dioxide from hexamethyldisilazane and oxygen by PECVD
    MIN TAE, KIM
    In: Thin solid films, Jg. 347 (1999), Heft 1-2, S. 99-105
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Characterization of silicon oxide thin films deposited by plasma enhanced chemical vapour deposition from octamethylcyclotetrasiloxane/oxygen feeds
    ZAJICKOVA, L ; JANCA, J ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 338 (1999), Heft 1-2, S. 49-59
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Calculation of apparent activation energy for the deposition of TEOS-SiO2 films by PECVD
    MIN TAE, KIM
    In: Thin solid films, Jg. 347 (1999), Heft 1-2, S. 112-116
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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