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    Patent Issued for Vertical CMOS Devices With Common Gate Stacks (USPTO 10,141,232).
    In: Computer Weekly News, 2018-12-12
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Structure and Method of Latchup Robustness with Placement of through Wafer via within CMOS Circuitry (USPTO 9842838).
    In: Computer Weekly News, 2017-12-27, S. 2467
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    'Porous Silicon Relaxation Medium For Dislocation Free Cmos Devices' in Patent Application Approval Process (USPTO 20200043811)
    In: Technology Business Journal, 2020-02-25, S. 1707
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    'Artificial Synapse With Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Layer In CMOS Front-End' in Patent Application Approval Process (USPTO 20190252500)
    In: Technology Business Journal, 2019-09-03, S. 896
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Dual Channel Material for finFET for High Performance CMOS (USPTO 9570360).
    In: Computer Weekly News, 2017-03-01, S. 1173
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for CMOS NFET and PFET Comparable Spacer Width (USPTO 9330983).
    In: Computer Weekly News, 2016-05-18, S. 1734
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Artificial Synapse With Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Layer In CMOS Front-End (USPTO 10,319,818)
    In: Technology Business Journal, 2019-06-25, S. 3383
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Porous Silicon Relaxation Medium For Dislocation Free CMOS Devices (USPTO 10,204,836)
    In: Technology Business Journal, 2019-02-26, S. 1706
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Porous Silicon Relaxation Medium for Dislocation Free CMOS Devices (USPTO 9929060)
    In: Information Technology Newsweekly, 2018-04-10, S. 2710
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Patent Issued for Dual Channel Material for finFET for High Performance CMOS (USPTO 9917015)
    In: Information Technology Newsweekly, 2018-03-27, S. 1608
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Patent Issued for Dual Channel Material for finFET for High Performance CMOS (USPTO 9911741)
    In: Information Technology Newsweekly, 2018-03-20, S. 1945
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Patent Issued for CMOS Structures with Selective Tensile Strained NFET Fins and Relaxed PFET Fins (USPTO 9472621)
    In: Electronics Business Journal, 2016-11-02, S. 3423
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
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xl 1200 - 1366
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