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57 Treffer

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    Researchers Submit Patent Application, 'Dual Channel Cmos Having Common Gate Stacks', for Approval (USPTO 20180337097).
    In: Computer Weekly News, 2018-12-12
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Vertical CMOS Devices With Common Gate Stacks (USPTO 10,141,232).
    In: Computer Weekly News, 2018-12-12
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Strained CMOS On Strain Relaxation Buffer Substrate (USPTO 10,141,338).
    In: Computer Weekly News, 2018-12-12
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Researchers Submit Patent Application, 'Patterned Gate Dielectrics For Iii-V-Based Cmos Circuits', for Approval (USPTO 20180308845).
    In: Computer Weekly News, 2018-11-14, S. 8012
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Researchers Submit Patent Application, 'Fabricating Contacts Of A Cmos Structure', for Approval (USPTO 20180294193).
    In: Computer Weekly News, 2018-10-31, S. 7775
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Researchers Submit Patent Application, 'Nanosheet Cmos Transistors', for Approval (USPTO 20180277630).
    In: Computer Weekly News, 2018-10-17, S. 8957
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Packaging Optoelectronic Components And CMOS Circuitry Using Silicon-On-Insulator Substrates For Photonics Applications (USPTO 10,090,286).
    In: Computer Weekly News, 2018-10-17, S. 6606
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Researchers Submit Patent Application, 'Low Resistance Source/Drain Contacts For Complementary Metal Oxide Semiconductor (Cmos) Devices', for Approval (USPTO 20180261597).
    In: Computer Weekly News, 2018-10-03, S. 6797
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Researchers Submit Patent Application, 'Simplified Gate Stack Process To Improve Dual Channel Cmos Performance', for Approval (USPTO 20180247097).
    In: Computer Weekly News, 2018-09-19, S. 8334
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Strained CMOS on Strain Relaxation Buffer Substrate (USPTO 9853056).
    In: Computer Weekly News, 2018-01-10, S. 2882
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Patent Issued for Partial Sacrificial Dummy Gate with CMOS Device with High-K Metal Gate (USPTO 9853116).
    In: Computer Weekly News, 2018-01-10, S. 2468
    Zeitungsartikel
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Patent Issued for Structure and Method of Latchup Robustness with Placement of through Wafer via within CMOS Circuitry (USPTO 9842838).
    In: Computer Weekly News, 2017-12-27, S. 2467
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Method for Making Nanosheet CMOS Device Integrating Atomic Layer Deposition Process and Replacement Gate Structure (USPTO 9812321).
    In: Computer Weekly News, 2017-11-22, S. 2499
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for III-V, SiGe, Or Ge Base Lateral Bipolar Transistor and CMOS Hybrid Technology (USPTO 9812370).
    In: Computer Weekly News, 2017-11-22, S. 2141
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for On-Chip DC-DC Power Converters with Fully Integrated GaN Power Switches, Silicon CMOS Transistors and Magnetic Inductors (USPTO 9806615).
    In: Computer Weekly News, 2017-11-15, S. 3060
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Packaging Optoelectronic Components and CMOS Circuitry Using Silicon-On-Insulator Substrates for Photonics Applications (USPTO 9786641).
    In: Computer Weekly News, 2017-10-25, S. 2363
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Fabricating a Dual Gate Stack of a CMOS Structure (USPTO 9786664).
    In: Computer Weekly News, 2017-10-25, S. 1776
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Integrated Circuit with Heterogeneous CMOS Integration of Strained Silicon Germanium and Group III-V Semiconductor Materials and Method to Fabricate Same (USPTO 9773812).
    In: Computer Weekly News, 2017-10-11, S. 1623
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Tall Strained High Percentage Silicon Germanium Fins for CMOS (USPTO 9761587).
    In: Computer Weekly News, 2017-09-27, S. 2555
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Techniques for Dual Dielectric Thickness for a Nanowire CMOS Technology Using Oxygen Growth (USPTO 9754965).
    In: Computer Weekly News, 2017-09-20, S. 2582
    Zeitungsartikel
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