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    On the chemistry of epitaxial Ti3SiC2 formation on 4H-SiC using Al-Ti annealing
    Abi Tannous, Tony ; Soueidan, Maher ; et al.
    In: Proceedings of the 2014 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ; ECSCRM'14 ; https://hal.science/hal-02428741 ; ECSCRM'14, Sep 2014, Grenoble, France. pp.TU-P-63, 2014
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    On the chemistry of epitaxial Ti3SiC2 formation on 4H-SiC using Al-Ti annealing
    Abi Tannous, Tony ; Soueidan, Maher ; et al.
    In: Proceedings of the 2014 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ; ECSCRM'14 ; https://hal.science/hal-02428741 ; ECSCRM'14, Sep 2014, Grenoble, France. pp.TU-P-63, 2014
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    On the chemistry of epitaxial Ti3SiC2 formation on 4H-SiC using Al-Ti annealing
    Abi Tannous, Tony ; Soueidan, Maher ; et al.
    In: Proceedings of the 2014 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ; ECSCRM'14 ; https://hal.science/hal-02428741 ; ECSCRM'14, Sep 2014, Grenoble, France. pp.TU-P-63, 2014
    Online Konferenz
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    On the chemistry of epitaxial Ti3SiC2 formation on 4H-SiC using Al-Ti annealing
    Abi Tannous, Tony ; Soueidan, Maher ; et al.
    In: Proceedings of the 2014 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ; ECSCRM'14 ; https://hal.science/hal-02428741 ; ECSCRM'14, Sep 2014, Grenoble, France. pp.TU-P-63, 2014
    Online Konferenz
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    On the chemistry of epitaxial Ti3SiC2 formation on 4H-SiC using Al-Ti annealing
    Abi Tannous, Tony ; Soueidan, Maher ; et al.
    In: Proceedings of the 2014 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ; ECSCRM'14 ; https://hal.science/hal-02428741 ; ECSCRM'14, Sep 2014, Grenoble, France. pp.TU-P-63, 2014
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    On the chemistry of epitaxial Ti3SiC2 formation on 4H-SiC using Al-Ti annealing
    Abi Tannous, Tony ; Soueidan, Maher ; et al.
    In: Proceedings of the 2014 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ; ECSCRM'14 ; https://hal.science/hal-02428741 ; ECSCRM'14, Sep 2014, Grenoble, France. pp.TU-P-63, 2014
    Online Konferenz
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    On the chemistry of epitaxial Ti3SiC2 formation on 4H-SiC using Al-Ti annealing
    Abi Tannous, Tony ; Soueidan, Maher ; et al.
    In: Proceedings of the 2014 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ; ECSCRM'14 ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02428741 ; ECSCRM'14, Sep 2014, Grenoble, France. pp.TU-P-63, 2014
    Online Konferenz
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    Volltext
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    Improvement of the Specific Contact Resistance on P-Type 4H-SiC by Using a Highly P-Typed Doped 4H-SiC Layer Selectively Grown by VLS Transport
    Thierry-Jebali, Nicolas ; Vo-Ha, Arthur ; et al.
    In: Materials Science Forum ; HeteroSiC-WASMPE ; https://hal.science/hal-01391861 ; HeteroSiC-WASMPE, Jun 2013, Nice, France. pp.57 - 60, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.806.57⟩, 2013
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Improvement of the Specific Contact Resistance on P-Type 4H-SiC by Using a Highly P-Typed Doped 4H-SiC Layer Selectively Grown by VLS Transport
    Thierry-Jebali, Nicolas ; Vo-Ha, Arthur ; et al.
    In: Materials Science Forum ; HeteroSiC-WASMPE ; https://hal.science/hal-01391861 ; HeteroSiC-WASMPE, Jun 2013, Nice, France. pp.57 - 60, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.806.57⟩, 2013
    Konferenz
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    Improvement of the Specific Contact Resistance on P-Type 4H-SiC by Using a Highly P-Typed Doped 4H-SiC Layer Selectively Grown by VLS Transport
    Thierry-Jebali, Nicolas ; Vo-Ha, Arthur ; et al.
    In: Materials Science Forum ; HeteroSiC-WASMPE ; https://hal.science/hal-01391861 ; HeteroSiC-WASMPE, Jun 2013, Nice, France. pp.57 - 60, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.806.57⟩, 2013
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    Improvement of the Specific Contact Resistance on P-Type 4H-SiC by Using a Highly P-Typed Doped 4H-SiC Layer Selectively Grown by VLS Transport
    Thierry-Jebali, Nicolas ; Vo-Ha, Arthur ; et al.
    In: Materials Science Forum ; HeteroSiC-WASMPE ; https://hal.science/hal-01391861 ; HeteroSiC-WASMPE, Jun 2013, Nice, France. pp.57 - 60, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.806.57⟩, 2013
    Konferenz
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    Improvement of the Specific Contact Resistance on P-Type 4H-SiC by Using a Highly P-Typed Doped 4H-SiC Layer Selectively Grown by VLS Transport
    Thierry-Jebali, Nicolas ; Vo-Ha, Arthur ; et al.
    In: Materials Science Forum ; HeteroSiC-WASMPE ; https://hal.science/hal-01391861 ; HeteroSiC-WASMPE, Jun 2013, Nice, France. pp.57 - 60, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.806.57⟩, 2013
    Konferenz
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    Improvement of the Specific Contact Resistance on P-Type 4H-SiC by Using a Highly P-Typed Doped 4H-SiC Layer Selectively Grown by VLS Transport
    Thierry-Jebali, Nicolas ; Vo-Ha, Arthur ; et al.
    In: Materials Science Forum ; HeteroSiC-WASMPE ; https://hal.science/hal-01391861 ; HeteroSiC-WASMPE, Jun 2013, Nice, France. pp.57 - 60, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.806.57⟩, 2013
    Konferenz
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    Improvement of the Specific Contact Resistance on P-Type 4H-SiC by Using a Highly P-Typed Doped 4H-SiC Layer Selectively Grown by VLS Transport
    Thierry-Jebali, Nicolas ; Vo-Ha, Arthur ; et al.
    In: Materials Science Forum ; HeteroSiC-WASMPE ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01391861 ; HeteroSiC-WASMPE, Jun 2013, Nice, France. pp.57 - 60, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.806.57⟩, 2013
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigations on the origin of the ohmic behavior for Ti/Al based contacts on n-type GaN
    Thierry-Jebali, Nicolas ; Ménard, Olivier ; et al.
    In: Proceedings of the 4th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications ; HeteroSiC & WASMPE 2011 ; https://hal.science/hal-00747672 ; HeteroSiC & WASMPE 2011, Jun 2011, Tours, France. pp.208-212, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.711.208⟩, 2011
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigations on the origin of the ohmic behavior for Ti/Al based contacts on n-type GaN
    Thierry-Jebali, Nicolas ; Ménard, Olivier ; et al.
    In: Proceedings of the 4th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications ; HeteroSiC & WASMPE 2011 ; https://hal.science/hal-00747672 ; HeteroSiC & WASMPE 2011, Jun 2011, Tours, France. pp.208-212, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.711.208⟩, 2011
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigations on the origin of the ohmic behavior for Ti/Al based contacts on n-type GaN
    Thierry-Jebali, Nicolas ; Ménard, Olivier ; et al.
    In: Proceedings of the 4th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications ; HeteroSiC & WASMPE 2011 ; https://hal.science/hal-00747672 ; HeteroSiC & WASMPE 2011, Jun 2011, Tours, France. pp.208-212, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.711.208⟩, 2011
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigations on the origin of the ohmic behavior for Ti/Al based contacts on n-type GaN
    Thierry-Jebali, Nicolas ; Ménard, Olivier ; et al.
    In: Proceedings of the 4th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications ; HeteroSiC & WASMPE 2011 ; https://hal.science/hal-00747672 ; HeteroSiC & WASMPE 2011, Jun 2011, Tours, France. pp.208-212, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.711.208⟩, 2011
    Konferenz
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    Investigations on the origin of the ohmic behavior for Ti/Al based contacts on n-type GaN
    Thierry-Jebali, Nicolas ; Ménard, Olivier ; et al.
    In: Proceedings of the 4th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications ; HeteroSiC & WASMPE 2011 ; https://hal.science/hal-00747672 ; HeteroSiC & WASMPE 2011, Jun 2011, Tours, France. pp.208-212, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.711.208⟩, 2011
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    Investigations on the origin of the ohmic behavior for Ti/Al based contacts on n-type GaN
    Thierry-Jebali, Nicolas ; Ménard, Olivier ; et al.
    In: Proceedings of the 4th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications ; HeteroSiC & WASMPE 2011 ; https://hal.science/hal-00747672 ; HeteroSiC & WASMPE 2011, Jun 2011, Tours, France. pp.208-212, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.711.208⟩, 2011
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