Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
13 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Publikation

Sprache

13 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    A CMOS 64MSps 20mA 0.85mm2 baseband I/Q modulator performing 13 bits over 2MHz bandwidth
    PINNA, Carlo ; MECCHIA, Alessandro ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Circuits (digest of technical papers), 2003, S. 152-155
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Ultra-shallow junction formation by non-melt laser spike annealing for 50-nm gate CMOS
    SHIMA, Akio ; YUN, WANG ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 174-175
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Extended scaling of ultrathin gate oxynitride toward sub-65nm CMOS by optimization of UV photo-oxidation, soft plasma/thermal nitridation & stress enhancement
    CHEN, Chi-Chun ; CHANG, V. S ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 176-177
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    65nm CMOS high speed, general purpose and low power transistor technology for high volume foundry application
    FUNG, Samuel K. H ; HUANG, H. T ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 92-93
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    45nm CMOS platform technology (CMOS6) with high density embedded memories
    IWAI, M ; OISHI, A ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 12-13
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Transistor optimization for leakage power management in a 65 nm CMOS technology for wireless and mobile applications
    ZHAO, S ; CHATTERJEE, A ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 14-15
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Impact of boron penetration from S/D-extension on gate-oxide reliability for 65-nm node CMOS and beyond
    YAMASHITA, T ; OTA, K ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 136-137
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Dual work function metal gate CMOS using CVD metal electrodes
    NARAYANAN, V ; CALLEGARI, A ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 192-193
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A hp22 nm node low operating power (LOP) technology with Sub-10 nm gate length planar bulk CMOS devices
    YASUTAKE, N ; OHUCHI, K ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 84-85
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Analysis and design of transceiver circuit and inductor layout for inductive inter-chip wireless superconnect
    MIURA, Noriyuki ; MIZOGUCHI, Daisuke ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Circuits (digest of technical papers), 2003, S. 246-249
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 32 mW self contained OFDM receiver ASIC for mobile cellular applications
    HANLI, ZOU ; DANESHRAD, Babak
    In: 2004 Symposium on VLSI Circuits (digest of technical papers), 2003, S. 148-151
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 90nm 6.5GHz 128x64b 4-read 4-write ported parameter variation tolerant register file
    AGARWAL, Amit ; ROY, Kaushik ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Circuits (digest of technical papers), 2003, S. 386-387
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Impact of mechanical stress engineering on flicker noise characteristics
    MAEDA, Shigenobu ; JIN, You-Seung ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 102-103
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -