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    2-D–3-D Switchable Gate Driver Circuit for TFT-LCD Applications
    Tu, Chun-Da ; Cheng, Mao-Hsun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-06-01), S. 2098-2105
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    Bottom-Gate Zinc Oxide Thin-Film Transistors (ZnO TFTs) for AM-LCDs
    Kakegawa, Masayuki ; Ishii, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-11-01), S. 3136-3142
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    A High-Performance Short-Channel Bottom-Contact OTFT and Its Application to AM-TN-LCD
    Yoneya, Nobuhide ; Kasahara, Jiro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-07-01), S. 1519-1526
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    Surface-free technology by laser annealing (SUFTLA) and its application to poly-Si TFT-LCDs on plastic film with integrated drivers
    Utsunomiya, Sumio ; Saeki, Takayuki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 49 (2002-08-01), S. 1353-1360
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    Simulation of pixel voltage error for a-Si TFT LCD regarding the change in LC pixel capacitance
    Yang, Bailiang ; Li, Muju ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001), S. 218-221
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    A Simple Method for Determining the Pretilt Angle of a Vertically Aligned Reflective LCD
    Hsu, Jy-Shan ; Chen, Shu-Hsia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-05-01), S. 918-921
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    Recessed gate-data line-crossover structures employing an air-gap to reduce signal delay for TFT-LCD panel
    Song, In-Hyuk ; Park, Fin-Woo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001), S. 2716-2721
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    Multicolor LCD for automotive applications
    Ohtani, K. ; Arai, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 37 (1990), S. 116-120
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    A laser-recrystallization technique for silicon-TFT integrated circuits on quartz substrates and its application to small-size monolithic active-matrix LCD's
    Yamamoto, A. ; Fujii, E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 37 (1990), S. 121-127
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    A multiplexed phase-change-type color LCD
    Isogai, T. ; Suzuki, Keizo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 28 (1981-06-01), S. 719-723
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    Analysis and design of a-Si TFT/LCD panels with a pixel model
    Kaneko, Yoshiyuki ; Sasano, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 36 (1989), S. 2953-2958
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    A new address scheme to improve the display quality of a-Si TFT/LCD panels
    Kaneko, Yoshiyuki ; Tanaka, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 36 (1989), S. 2949-2952
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    Low-temperature fabrication of high-mobility poly-Si TFTs for large-area LCDs
    Serikawa, T. ; Okamoto, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 36 (1989-09-01), S. 1929-1933
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    A full-color LCD addressed by poly-Si TFTs fabricated below 450 degrees C
    Masumo, Kunio ; Kunigita, Masaya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 36 (1989-09-01), S. 1934-1937
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    Physical Model of Pixels in Twisted Nematic Active-Matrix Liquid Crystal Displays
    Lee, Seung-Woo ; Jeon, Dong-Hwan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-10-01), S. 3308-3313
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    1.5-V-Operation Ultralow Power Circuit of Poly-Si TFTs Fabricated Using the NAOS Method
    Imai, S. ; Suzuki, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-02-01), S. 385-392
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    Asymmetric Electrical Properties of Corbino a-Si:H TFT and Concepts of Its Application to Flat Panel Displays
    Lee, Hojin ; Kim, Chang-Dong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-04-01), S. 654-662
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    Optical Pixel Sensor Based on a-Si:H TFTs to Detect Combined Optical Signals for Multiuser Interactive Displays
    Lee, Chia-Lun ; Lin, Chih-Lung ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-06-01), S. 2425-2431
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    A single-cell high-quality black and white ST liquid-crystal display
    Yamamoto, Tomiaki ; Hatoh, Hitoshi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 36 (1989-09-01), S. 1905-1909
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    A liquid-crystal display panel using polarizers as panel substrates
    Umeda, Takao ; Nakano, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 34 (1987-04-01), S. 804-809
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