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    High spatial resolution neutron detection technique based on Commercial Off-The-Shelf CMOS image sensors covered with NaGdF_4 nanoparticles
    M. Gómez Berisso ; Lipovetzky, Jose ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 16 (2021-08-01), S. P08008
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    A 12-bit 30 MS/s SAR ADC in 180 nm CMOS for PMT signal readout
    Zhou, S. ; Liu, S. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 16 (2021-06-01), S. P06002
    Online unknown
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    Electrical characterization of AMS aH18 HV-CMOS after neutrons and protons irradiation
    Sultan, Dms ; Weber, Marc ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, 2019
    Online unknown
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    Cryogenic characterization of 180 nm CMOS technology at 100 mK
    Gnani, Dario ; Grace, Carl ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 15 (2020-06-23), S. P06026
    Online unknown
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    Neutron induced noise degradation of ASICs in 350 nm CMOS technology
    Yaoguang, Liu ; Ying, Zhang ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 15 (2020-10-19), S. T10005
    Online unknown
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    Monolithic pixel development in TowerJazz 180 nm CMOS for the outer pixel layers in the ATLAS experiment
    Musa, Luciano ; Rousset, Jerome ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, 2018
    Online unknown
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    Test beam measurement of ams H35 HV-CMOS capacitively coupled pixel sensor prototypes with high-resistivity substrate
    M. Vicente Barrero Pinto ; Kiehn, Moritz ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, 2018
    Online unknown
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    Radiation induced degradation in a 150-nm CMOS SPADs device
    Sarnelli, Ettore ; Campajola, M. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 15 (2020-08-17), S. C08017
    Online unknown
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    Micrometric laser characterization of a 300μm fully-depleted monolithic active pixel sensor in standard 110 nm CMOS technology
    Giampaolo, R. A.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 15 (2020-06-24), S. C06052
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Radiation hard DMAPS pixel sensors in 150 nm CMOS technology for operation at LHC
    Schwemling, Ph. ; Hügging, Fabian ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 15 (2020-05-22), S. P05013
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Design of ePixM, a fully-depleted monolithic CMOS active pixel sensor for soft X-ray experiments at LCLS-II
    Tamma, C. ; Kenney, C.J. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 14 (2019-12-13), S. C12014
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Progress on the radiation tolerance of CMOS Monolithic Active Pixel Sensors
    Deveaux, Michael
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 14 (2019-11-05), S. R11001
    Online unknown
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    Development of Silicon Photomultiplier sensors using a 180 nm custom CMOS process technology
    Aggarwal, Bharti ; Chakraborty, S. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 15 (2020-03-30), S. P03032
    Online unknown
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    An ultra-low noise cryogenic CMOS charge sensitive preamplifier for large volume point-contact HPGe detectors
    Yue, Qian ; Liu, Feng ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 13 (2018-08-22), S. P08019
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Study of the depletion depth in a frontside biased CMOS pixel sensors
    Dorokhov, Andrei ; Baudot, J. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 14 (2019-01-17), S. P01018
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Charge collection characterisation with the Transient Current Technique of the ams H35DEMO CMOS detector after proton irradiation
    Golling, Tobias ; Kiehn, Moritz ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 13 (2018-10-01), S. P10004
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    MAPS sensor for radiation imaging designed in 180 nm SOI CMOS technology
    Tomasek, L. ; Neue, G. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 13 (2018-06-18), S. C06004
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 4 × 14-Gbps/ch VCSEL array driving ASIC in 65 nm CMOS for high-energy physics experiments
    Gong, D. ; Xiao, Le ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 14 (2019-05-23), S. C05016
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Photodiode area effect on performance of X-ray CMOS active pixel sensors
    Kim, YS ; Kim, Dongeun ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 13 (2018-02-19), S. C02023
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    Characterization of pixel sensor designed in 180 nm SOI CMOS technology
    Tomasek, L. ; Janoska, Z. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 13 (2018-01-19), S. C01025
    Online unknown
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