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    Effect of substrate defects on LIDT of (BiTm)3(GaFe)5O12 films grown by LPE
    Zhang, Ding ; Ming, Wang ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 484 (2019-08-01), S. 169-174
    Online unknown
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    Laser-induced damage of garnet films grown by LPE
    Ming, Wang ; Zhang, Ding ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 91 (2019-05-01), S. 268-273
    Online unknown
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    Low-temperature LPE growth and characterization of GaAsSb layers for photovoltaic applications
    Georgiev, S. ; Donchev, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 574 (2021-11-01), S. 126335-126335
    Online unknown
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    Scintillating screens based on the LPE grown Tb 3 Al 5 O 12 :Ce single crystalline films
    Witkiewicz, Sandra ; Bilski, Paweł ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 65 (2017-03-01), S. 73-81
    Online unknown
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    High and abrupt breakdown voltage In0.15Ga0.85As0.14Sb0.86/GaSb junctions grown by LPE
    Martínez-Juárez, J. ; F. de Anda-Salazar ; et al.
    In: Infrared Physics & Technology, Jg. 79 (2016-11-01), S. 32-35
    Online unknown
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    Band to band optical absorption in LPE-growth InAs0.94Sb0.06 film
    Dai, Ning ; Zhou, Wei ; et al.
    In: Infrared Physics & Technology, Jg. 71 (2015-07-01), S. 175-178
    Online unknown
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    LPE growth of (NdGdBi)3Fe5O12 films with high FOM and high LIDTs at a wavelength of around 1 μm
    Ming, Wang ; Syvorotka, Ihor I. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 525 (2020-09-01), S. 146321-146321
    Online unknown
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    HgCdTe/CdZnTe LPE epitaxial layers: From material growth to applications in devices
    Bezsmolnyy, Yuriy ; Smolii, Mariia ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 529 (2020), S. 125295-125295
    Online unknown
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    LPE growth and characterization of InAs1−xNx films
    Wang, Yunuan ; Qiu, F. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 398 (2014-07-01), S. 1-4
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Liquid phase epitaxy (LPE) of GaN on c- and r-faces of AlN substrates
    Meissner, Elke ; Azizi, Maral ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 322 (2011-05-01), S. 74-77
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Characterization of photodiodes, made from a p-type epitaxial layer grown on n-type InSb<111>by LPE method
    Sareminia, Gh. ; Eminov, Sh. ; et al.
    In: Infrared Physics & Technology, Jg. 53 (2010-09-01), S. 315-319
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Direct-write e-beam sub-micron domain engineering in liquid phase epitaxy (LPE) LiNbO3 thin films and single crystal LiNbO3
    Hesselink, Lambertus ; Son, Ji-Won ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 280 (2005-06-01), S. 135-144
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Comparative study of the photoluminescence of InGaP layers grown on GaAs substrates by LPE and MOVPE techniques
    Prutskij, Tatiana ; Pelosi, Claudio ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 36 (2005-03-01), S. 374-378
    Online unknown
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    TSSG pulling and LPE growth of KTa Nb1−O3 for optical waveguides
    Imai, Tadayuki ; Enbutsu, Kouji ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 275 (2005-02-01), S. e2099- (5S.)
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Waveguiding demonstration on Yb:Nb:RbTiOPO4/RbTiOPO4(001) epitaxies grown by LPE
    Rosa Maria Solé ; Cugat, J. ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 32 (2010-10-01), S. 1648-1651
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Fabrication of meander shaped (Y,Yb)BCO LPE films for PCS materials
    Kai, Masahiko ; Shiohara, Yuh ; et al.
    In: Physica C: Superconductivity, 2002-10-01, S. 1003-1008
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Sulfide treatment of GaSb surface: influence on the LPE growth of InGaAsSb/AlGaAsSb heterostructures
    Kątcki, J. ; Papis, E. ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 57 (2000-05-01), S. 171-178
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Structural and electrical properties of silicon epitaxial layers grown by LPE on highly resistive monocrystalline substrates
    Bucher, Ernst ; Peter, K ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 208 (2000), S. 289-296
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Study of annealing conditions on the formation of ohmic contacts on p+ 4H–SiC layers grown by CVD and LPE
    Vassilevski, Konstantin ; Martin, N ; et al.
    In: Materials Science and Engineering: B, 1999-07-01, S. 296-300
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Structural characterisation of remelt liquid phase epitaxy (LPE) grown AlGaAs heteroepitaxial layer
    Ferrari, Claudio ; Jeganathan, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 203 (1999-06-01), S. 327-332
    Online unknown
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xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
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