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    Structural properties of GaN layers grown on Al2O3 (0001) and GaN/Al2O3 template by reactive radio-frequency magnetron sputter epitaxy
    Mutsukura, Nobuki ; Shinoda, Hiroyuki
    In: Vacuum, Jg. 125 (2016-03-01), S. 133-140
    Online unknown
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    Growth evolution and microstructural characterization of semipolar (112̄2) GaN selectively grown on etched r-plane sapphire
    Li, Yun-Li ; Yerino, Christopher D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 341 (2012-02-01), S. 27-33
    Online unknown
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    Influence of slight misorientations of r ‐plane sapphire substrates on the growth of nonpolar a ‐plane GaN layers via HVPE
    Schwaiger, Stephan ; Scholz, Ferdinand ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 7 (2010-07-01), S. 2069-2072
    Online unknown
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    Growth of high-quality In-rich InGaN alloys by RF–MBE for the fabrication of InN-based quantum well structures
    Nanishi, Yasushi ; Muto, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 288 (2006-03-01), S. 283-288
    Online unknown
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    Facet-controlled three-step growth of high-quality GaN on sapphire substrates by mass-production-type metalorganic vapor phase epitaxy
    Koyama, Yoshihisa ; Nitta, Shugo ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 272 (2004-12-01), S. 438-443
    Online unknown
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    Reduction of threading dislocation by recoating GaN island surface with SiN for high‐efficiency GaN‐on‐Si‐based LED
    Yoshida, Hisashi ; Nunoue, Shinya ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 11 (2014-01-28), S. 617-620
    Online unknown
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    Defect reduction in semipolar {101̄3̄} GaN grown on m-sapphire via two-step nanoepitaxial lateral overgrowth
    Duan, Ruifei ; Huo, Ziqiang ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 16 (2014), S. 4562-4567
    Online unknown
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    Comparative Study on MOCVD Growth of a-Plane GaN Films on r-Plane Sapphire Substrates Using GaN, AlGaN, and AlN Buffer Layers
    Sun, Y. Q. ; He, Q. H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 38 (2009-06-11), S. 1938-1943
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
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    Nondestructive Characterization Of MOCVD-Grown GaInAs/GaAs Using Rocking Curve And Topography
    Lau, K M. ; Wie, C. R. ; et al.
    In: SPIE Proceedings, 1988-05-18
    Online unknown
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    Effects of sapphire substrates surface treatment on epitaxial ZnO thin films grown by MOCVD
    Chu, Benli ; He, Qinyu ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 82 (2008-06-01), S. 1229-1232
    Online unknown
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    Growth of InN nanocolumns by RF-MBE
    Nanishi, Yasushi ; Na, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, 2007-04-01, S. 490-495
    Online unknown
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    High‐quality AlN epitaxial films on (0001)‐faced sapphire and 6H‐SiC substrate
    Sumiya, Shigeaki ; Miyake, Hideto ; et al.
    In: physica status solidi (c), 2003-11-24, S. 2023-2026
    Online unknown
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    GaN thin films deposited via organometallic vapor phase epitaxy on α(6H)–SiC(0001) using high‐temperature monocrystalline AlN buffer layers
    K. Shawn Ailey ; Perry, W. G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 67 (1995-07-17), S. 401-403
    Online unknown
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    The Effects of Substrate Surface Treatments on Growth of a-Plane GaN Single Crystals Using Na Flux Method
    Matsuo, Daisuke ; Kitaoka, Yasuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-02-16), S. 035501-35501
    Online unknown
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    Improved optical performance of GaN grown on pattered sapphire substrate
    Shu-Ti, Li ; Guang-Rui, Yao ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 30 (2009), S. 013001-13001
    Online unknown
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