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    Study of drain-extended NMOS under electrostatic discharge stress in 28 nm and 40 nm CMOS process
    Jin, Hao ; Zhong, Lei ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 116 (2016-02-01), S. 80-87
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    Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device
    Xu, Gaobo ; Xiaoxun, Wang ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 115 (2016), S. 26-32
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    Effects of shallow trench isolation on low frequency noise characteristics of source-follower transistors in CMOS image sensors
    Kwon, Sung-Kyu ; Song, Hyeong-Sub ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 119 (2016-05-01), S. 29-32
    Online unknown
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    High mobility CMOS technologies using III–V/Ge channels on Si platform
    Takenaka, Mitsuru ; Yamada, Hisashi ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 88 (2013-10-01), S. 2-8
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    CMOS and post-CMOS on-chip microwave pulse power detectors
    Melngailis, John ; Jeon, Woochul
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-06-01), S. 951-958
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    Dual strained channel CMOS in FDSOI architecture: New insights on the device performance
    Bourdelle, Konstantin ; Previtali, B. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, 2011-11-01, S. 9-15
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    Quasi-planar bulk CMOS technology for improved SRAM scalability
    Kai Ling Chiu ; Liu, Tiehui ; et al.
    In: Solid-State Electronics, 2011-11-01, S. 184-190
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    Virtually dopant-free CMOS: Midgap Schottky-barrier nanowire field-effect-transistors for high temperature applications
    Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 74 (2012-08-01), S. 91-96
    Online unknown
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    Benchmarking SOI and bulk FinFET alternatives for PLANAR CMOS scaling succession
    Hoffmann, Thomas ; Witters, Liesbeth ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-09-01), S. 855-860
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    A low-noise single-photon detector implemented in a 130nm CMOS imaging process
    Hardillier, Stephane ; Henderson, Robert ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-07-01), S. 803-808
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    Anodic Ta2O5 for CMOS compatible low voltage electrowetting-on-dielectric device fabrication
    Parkes, William ; Hutcheon, N. G. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-09-01), S. 1382-1387
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    A high current gain gate-controlled lateral bipolar junction transistor with 90nm CMOS technology for future RF SoC applications
    Lee, I. C. ; Yeh, Wen-Kuan ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-08-01), S. 1140-1144
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    Three-dimensionally stacked poly-Si TFT CMOS inverter with high quality laser crystallized channel on Si substrate
    Koo, Hyun-Mo ; Lee, Seongjae ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-03-01), S. 372-376
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    Ultrathin DPN STI SiON liner for 40nm low-power CMOS technology
    Chen, S. C. ; Kay Ming Lee ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-05-01), S. 564-567
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    CMOS compatible dual metal gate integration with successful Vth adjustment on high-k HfTaON by high-temperature metal intermixing
    Ren, Changliang ; Balasubramanian, N. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 51 (2007-11-01), S. 1479-1484
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Latch-up effects in CMOS inverters due to high power pulsed electromagnetic interference
    Iliadis, Agis A. ; Kim, Kyechong
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-10-01), S. 1589-1593
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Nanoscale CMOS: potential nonclassical technologies versus a hypothetical bulk-silicon technology
    Kim, Seung-Hwan ; Fossum, Jerry G.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 49 (2005-04-01), S. 595-605
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    Quantitative prediction of junction leakage in bulk-technology CMOS devised
    Loo, Josine ; Heringa, A ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010), Heft 3, S. 243-251
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A single-poly EEPROM cell structure compatible to standard CMOS process
    Sun, Cherng-Yuan ; Lin, Ching-Fang
    In: Solid-State Electronics, Jg. 51 (2007-06-01), S. 888-893
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Characterization of symmetrical spiral inductor in 0.35 μm CMOS technology for RF application
    Huailin Liao Huailin Liao ; Xiong, Yong-Zhong ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-09-01), S. 1643-1650
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